[发明专利]一种用于制备透明显示屏格栅的设备及其生产工艺在审
申请号: | 201811525486.5 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109585517A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 顾琼;毛秀芬;王莹;邓大庆 | 申请(专利权)人: | 顾琼 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34146 | 代理人: | 洪玲 |
地址: | 230000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 格栅 磁控溅射系统 透明显示屏 定位系统 供气系统 真空系统 热蒸发 掩膜 前处理 镀膜 生产工艺 表面前处理 沉积薄膜 衬底表面 传送机构 功能机构 加热系统 平行操作 生产效率 衬底 单片 腔体 薄膜 生产 | ||
本发明涉及一种用于制备透明显示屏格栅的设备及其生产工艺,该设备包括前处理机构、若干镀膜机构、传送机构和其他功能机构,所述前处理机构包括表面前处理腔;所述镀膜机构包括Si膜制备腔、Au膜制备腔和Si基格栅制备腔,所述Si膜制备腔设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统和掩膜定位系统;所述Au膜制备腔设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统和掩膜定位系统;所述Si基格栅制备腔设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统、掩膜定位系统和加热系统。本发明通过设置多个相互独立的腔体,在衬底表面沉积薄膜,各操作可平行操作,降低单片衬底薄膜的生产时间,提高设备的利用率及透明显示屏格栅的生产效率。
技术领域
本发明属于显示屏格栅制备技术领域,具体涉及一种用于制备透明显示屏格栅的设备及其生产工艺。
背景技术
透明显示屏是未来显示应用的重要趋势,透明显示屏的透光率高、亮度高,不仅能够让屏幕后的光线透过,同时能够在屏幕上呈现出鲜艳亮丽的影像效果,让用户感受到层次丰富、与实景结合的立体影像,具有极佳的视觉体验和未来感。透明显示屏将以OLED(有机发光二极管)材料制作RGB像素,通常制作这些均匀分布的像素前需要首先制作格栅,用格栅对形成像素的多层显示材料层进行隔离。常规制作格栅阵列的方法是通过光刻机多次涂胶、曝光、清洗操作才能制作出台阶状格栅,需要昂贵的光刻机和复杂的制作流程,大大增加了制作成本和时间。因此,开发一种能够简化显示屏格栅的制备流程,降低生产成本,提高设备利用效率和生产效率的透明显示屏格栅的用于制备设备具有重要的经济、社会和现实意义。
发明内容
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单,设计合理的用于制备透明显示屏格栅的设备及其生产工艺。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的:
一种用于制备透明显示屏格栅的设备,包括前处理机构、若干镀膜机构、传送机构和其他功能机构,所述前处理机构包括表面前处理腔,其内部设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统、掩膜定位系统;
所述镀膜机构包括Si膜制备腔、Au膜制备腔和Si基格栅制备腔,所述Si膜制备腔内设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统和掩膜定位系统;
所述Au膜制备腔内设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统和掩膜定位系统;
所述Si基格栅制备腔内设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统、掩膜定位系统和加热系统。
通过采用上述技术方案,可逐步对衬底表面沉积Si和Au薄膜,并最终生长出柱状格栅,且分为多个腔体,以方便不同制备步骤平行展开,缩短单片生产时间,提高设备利用效率和生产效率。
作为本发明的进一步优化方案,所述其他功能机构包括若干功能腔,各功能腔内设置有真空系统、供气系统、热蒸发系统、磁控溅射系统和掩膜定位系统中的一种或多种。
通过采用上述技术方案,可在衬底表面生长RGB发光功能层。
作为本发明的进一步优化方案,各所述机构之间通过共用腔相互连通,各机构与共用腔的连接处设置有若干相应的法兰和阀门。
通过采用上述技术方案,每个腔体既可以独立使用互不干扰,也可以通过传送机构和控制系统进行协同使用。
作为本发明的进一步优化方案,所述衬底包括玻璃等透明材料和提前制备了功能薄膜层的透明材料。
一种用于制备透明显示屏格栅设备的生产工艺,包括以下步骤:
S1:衬底的表面预处理
将衬底材料放置于传送机构上,由控制器启动各机构,将衬底传送至表面前处理腔,通过等离子清洗方式对衬底表面进行清洗;
S2:制备Si膜层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的