[发明专利]一种基于空穴调整层的发光二极管在审
| 申请号： | 201811525624.X | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326622A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 空穴 调整 发光二极管 | ||
1.一种基于空穴调整层的发光二极管，其特征在于，包括：
衬底层(11)；
缓冲层(12)，位于所述衬底层(11)上；
低温氮化镓层(13)，位于所述缓冲层(12)上；
非故意掺杂氮化镓层(14)，位于所述低温氮化镓层(13)上；
超晶格层(15)，位于所述非故意掺杂氮化镓层(14)上；
N型半导体层(16)，位于所述超晶格层(15)上；
N型掺杂层(17)，位于所述N型半导体层(16)上；
量子阱发光层(18)，位于所述N型掺杂层(17)上；
电子阻挡层(19)，位于所述量子阱发光层(18)上；
空穴调整层(20)，位于所述电子阻挡层(19)上，所述空穴调整层(20)包括依次层叠于电子阻挡层(19)上的第一非掺杂层(201)、第二非掺杂层(202)和P型掺杂层(203)；
P型半导体层(21)，位于所述空穴调整层(20)上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述低温氮化镓层(13)的厚度为20-60nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述非故意掺杂氮化镓层(14)的厚度为50-100nm。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述超晶格层(15)为氮化铝镓超晶格层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述超晶格层(15)的厚度为50-100nm。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述N型半导体层(16)为N型AlGaN层。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一非掺杂层(201)为非掺杂的GaN层。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二非掺杂层(202)为非掺杂的AlGaN层。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述P型掺杂层(203)为P型InGaP层。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述P型掺杂层(203)的掺杂元素为Mg，所述P型掺杂层(203)的掺杂浓度为1019-3×1019cm-3。
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