[发明专利]一种基于空穴调整层的发光二极管

说明书

本发明涉及一种基于空穴调整层的发光二极管，包括衬底层；缓冲层，位于衬底层上；低温氮化镓层，位于缓冲层上；非故意掺杂氮化镓层，位于低温氮化镓层上；超晶格层，位于非故意掺杂氮化镓层上；N型半导体层，位于超晶格层上；N型掺杂层，位于N型半导体层上；量子阱发光层，位于N型掺杂层上；电子阻挡层，位于量子阱发光层上；空穴调整层包括依次层叠于电子阻挡层上的第一非掺杂层、第二非掺杂层和P型掺杂层；P型半导体层，位于空穴调整层上。本发明的发光二极管能够提高了发光二极管的发光质量。并能够改善空穴迁移至量子阱发光层的空穴浓度，从改善发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明涉及发光元件技术领域，特别是涉及一种基于空穴调整层的发光二极管。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)作为信息光电子新兴产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

目前，发光二极管一般包括衬底层、缓冲层、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层。其中，N型半导体层用于提供电子；P型半导体层用于提供空穴，当有电流通过时，N型半导体层提供的电子和P型半导体层提供的空穴进入多量子阱发光层复合发光。

但是，目前的发光二极管还存在缺陷多等问题，发光质量还需进一步提高，以免影响进入高端应用市场；由于电子的移动能力远远高于空穴，导致在多量子阱发光层中的电子浓度远远高于空穴的浓度，从而影响发光二极管的发光效率。

发明内容

因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种基于空穴调整层的发光二极管。

具体地，本发明一个实施例提出的一种基于空穴调整层的发光二极管，包括：

衬底层；

缓冲层，位于所述衬底层上；

低温氮化镓层，位于所述缓冲层上；

非故意掺杂氮化镓层，位于所述低温氮化镓层上；

超晶格层，位于所述非故意掺杂氮化镓层上；

N型半导体层，位于所述超晶格层上；

N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；

量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；

电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上；

空穴调整层，位于所述电子阻挡层上，所述空穴调整层包括依次层叠于电子阻挡层上的第一非掺杂层、第二非掺杂层和P型掺杂层；

P型半导体层，位于所述空穴调整层上。

在本发明的一个实施例中，所述低温氮化镓层的厚度为20-60nm。

在本发明的一个实施例中，所述非故意掺杂氮化镓层的厚度为50-100nm。

在本发明的一个实施例中，所述超晶格层为氮化铝镓超晶格层。

在本发明的一个实施例中，所述超晶格层的厚度为50-100nm。

在本发明的一个实施例中，所述N型半导体层为AlGaN层。

在本发明的一个实施例中，所述第一非掺杂层为非掺杂的GaN层。

在本发明的一个实施例中，所述第二非掺杂层为非掺杂的AlGaN层。

在本发明的一个实施例中，所述P型掺杂层为P型InGaP层。