[发明专利]表面声波器件的封装结构及其晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个表面声波器件，所述表面声波器件的导电连接件位于所述表面声波器件的边缘区域；

提供第二衬底，在所述第二衬底上形成支撑构件，所述支撑构件围绕出的第二衬底部分构成遮盖部；以及，

键合所述支撑构件至所述第一衬底上，所述支撑构件、所述遮盖部和所述表面声波器件界定出密闭的空腔，所述导电连接件具有位于所述空腔外的部分。

2.如权利要求1所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，所述支撑构件的形成方法包括：

在所述第二衬底的表面上沉积支撑材料层；以及，

图形化所述支撑材料层，以形成所述支撑构件。

3.如权利要求2所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，所述支撑构件的材质包括聚酰亚胺。

4.如权利要求1所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，所述导电连接件为焊垫。

5.如权利要求1所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一衬底的表面上和所述第二衬底的表面上还均形成有对位标记，并且所述第一衬底上的对位标记和第二衬底上的对位标记的位置相互对应，根据所述对位标记使所述支撑构件对准键合至所述第一衬底上。

6.如权利要求1所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，在键合所述支撑构件至所述第一衬底上之后，还包括：

从所述第二衬底背离所述第一衬底的一侧减薄所述第二衬底，以减薄所述遮盖部；以及，

切割所述第二衬底，以使相邻的所述遮盖部相互分断。

7.如权利要求6所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，在切割所述第二衬底时，在对应于所述支撑构件位于所述空腔外侧的外侧壁的位置上切割所述第二衬底。

8.如权利要求6所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，在切割所述第二衬底之后，以及在键合引线之前，还包括：

切割所述第一衬底，以使相邻的所述表面声波器件相互分断。

9.如权利要求1所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，在键合所述支撑构件至所述第一衬底上之后，还包括：

在所述导电连接件暴露于所述空腔之外的区域上键合引线。

10.如权利要求1所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一衬底上形成有多个所述表面声波器件，所述第二衬底上形成有多个支撑构件，多个所述支撑构件和多个所述表面声波器件一一对应。

11.如权利要求1所述的表面声波器件的晶圆级封装方法，其特征在于，所述表面声波器件包括表面声波滤波器。

12.一种表面声波器件的封装结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有表面声波器件，所述表面声波器件的导电连接件位于所述表面声波器件的边缘区域；以及，

封盖结构，所述封盖结构封盖所述表面声波器件，所述封盖结构包括支撑构件和遮盖部；其中，所述支撑构件键合在所述衬底上以使所述遮盖部悬空遮盖所述表面声波器件，所述支撑构件、所述遮盖部和所述表面声波器件界定出密闭的空腔，所述导电连接件具有位于所述空腔外的部分。

13.如权利要求12所述的表面声波器件的封装结构，其特征在于，还包括：

引线，键合在所述导电连接件暴露于所述空腔之外的区域上。

14.如权利要求12所述的表面声波器件的封装结构，其特征在于，所述导电连接件为焊垫。

15.如权利要求12所述的表面声波器件的封装结构，其特征在于，所述支撑构件的材质包括聚酰亚胺。