[发明专利]表面声波器件的封装结构及其晶圆级封装方法

说明书

本发明提供了一种表面声波器件的封装结构及其晶圆级封装方法。通过在第一衬底和第二衬底上分别形成表面声波器件和支撑构件，并可利用键合工艺使支撑构件键合在第一衬底上，以封盖表面声波器件，如此即可避免表面声波器件与化学试剂或工艺气体接触，有效减小了表面声波器件被侵蚀或污染的风险。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种表面声波器件的封装结构及其晶圆级封装方法。

背景技术

表面声波器件(surface acoustic wave，SAW)属于固态电子器件，在电路应用中基于其稳定的频率源功能和滤波功能而被广泛应用。其中，表面声波器件主要是利用声-电换能器在压电薄膜的表面上完成从电信号-声信号-电信号的信号转换和处理。

通常而言，在初步制备出表面声波器件之后还需要对其进行封装处理，以确保最终所形成的表面声波器件的使用性能和可靠性。传统的表面声波器件的封装方式主要分包括：金属封装、塑料封装和表贴封装贴装等。然而，金属封装和塑料封装体积大，不适合小型化趋势；以及，表面贴装工艺虽然其体积较小，然而其制作工艺复杂、价格较高。

而近年来发展起来的晶圆级封装(Wafer Level Package，WLP)技术，可直接在晶圆上进行封装测试程序，之后再进行切割制成单颗组件，这种封装具有尺寸小、电性能好、成本低、易于小型化以及易集成的优势。然而，在利用晶圆级封装技术进行封装时，表面声波器件中暴露出的压电薄膜极易受到污染和侵蚀，从而会在压电薄膜上造成缺陷，破坏了晶格的完整性，进而会对表面声波器件的性能造成不利影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种表面声波器件的晶圆级封装方法，以解决现有的表面声波器件容易在其封装过程中产生缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种表面声波器件的晶圆级封装方法，包括：

提供第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个表面声波器件，所述表面声波器件的导电连接件位于所述表面声波器件的边缘区域；

提供第二衬底，在所述第二衬底上形成支撑构件，所述支撑构件围绕出的第二衬底部分构成遮盖部；以及，

键合所述支撑构件至所述第一衬底上，所述支撑构件、所述遮盖部和所述表面声波器件界定出密闭的空腔，所述导电连接件具有位于所述空腔外的部分。

可选的，所述支撑构件的形成方法包括：

在所述第二衬底的表面上沉积支撑材料层；以及，

图形化所述支撑材料层，以形成所述支撑构件。

可选的，所述支撑构件的材质包括聚酰亚胺。

可选的，所述导电连接件为焊垫。

可选的，所述第一衬底的表面上和所述第二衬底的表面上还均形成有对位标记，并且所述第一衬底上的对位标记和第二衬底上的对位标记的位置相互对应，根据所述对位标记使所述支撑构件对准键合至所述第一衬底上。

可选的，在键合所述支撑构件至所述第一衬底上之后，还包括：

从所述第二衬底背离所述第一衬底的一侧减薄所述第二衬底，以减薄所述遮盖部；以及，

切割所述第二衬底，以使相邻的所述遮盖部相互分断。

可选的，在切割所述第二衬底时，在对应于所述支撑构件位于所述空腔外侧的外侧壁的位置上切割所述第二衬底。

可选的，在切割所述第二衬底之后，以及在键合引线之前，还包括：

切割所述第一衬底，以使相邻的所述表面声波器件相互分断。