[发明专利]基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置具有：

支承部件，支承包括至少一张基板的被处理体；

第1离子源，与所述被处理体的第1面相向地配置；

第2离子源，与所述被处理体的同所述第1面相反的第2面相向地配置；以及

控制部件，进行以下的控制：一边使由所述支承部件支承的所述被处理体与所述第1离子源以及所述第2离子源在第1方向上相对地移动，一边从所述第1离子源以及所述第2离子源向所述第1面以及所述第2面分别照射第1离子束以及第2离子束，

在假想位于所述第1离子源与所述第2离子源的中间且与所述第1方向平行的假想面时，

所述第1离子源以及第2离子源被配置成，所述第1离子源的离子束在所述假想面上的照射区域和所述第2离子源的离子束在所述假想面上的照射区域在所述假想面上位于不同的位置。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1离子源以及第2离子源被配置成，所述第1离子源的离子束在所述假想面上的截面和所述第2离子源的离子束在所述假想面上的截面在所述假想面上分离。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1离子源以及第2离子源的射出开口被配置成，包括长边方向和短边方向，该长边方向与所述第1方向交叉。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1离子源以及第2离子源的所述长边方向的宽度比与所述第1方向正交的方向的所述基板的宽度大。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1离子源以及第2离子源中的至少一方被配置成，离子束相对于所述基板非垂直地照射。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1离子源以及第2离子源的射出开口包括长边方向和短边方向，

所述第1离子源以及第2离子源中的至少一方被配置成，离子束的长边方向相对于所述基板垂直地照射，且该离子束的短边方向相对于所述基板非垂直地照射。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置还具有偏压构件，该偏压构件被配置成围绕从所述第1离子源以及第2离子源中的每一个射出的离子束的周围，且该偏压构件被施加有偏压。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置还具有检测所述基板的有无的检测部件，

所述控制部件在基于所述检测部件的检测结果，判断为在所述第1离子源的离子束的照射范围不存在所述基板的情况下，关闭来自所述第1离子源的离子束的照射，在基于所述检测部件的检测结果，判断为在所述第2离子源的离子束的照射范围不存在所述基板的情况下，关闭来自所述第2离子源的离子束的照射。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述支承部件以所述基板的处理面沿着铅垂方向的方式支承所述基板。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1离子源以及第2离子源被固定配置，

所述支承部件能够移动。

11.一种成膜装置，其特征在于，

该成膜装置具备：

权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置；以及

成膜处理部，对由所述基板处理装置进行了处理的基板的表面进行成膜处理。

12.一种电子零件的制造方法，其特征在于，

该电子零件的制造方法具有以下的工序：

由权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置对安装有所述电子零件的基板的表面进行处理的工序；以及

对所述基板的表面进行成膜处理的工序。