[发明专利]基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法

说明书

本发明提供基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法，能够高效地进行相对于基板的面的表面处理。基板处理装置具有：支承部件，支承基板；第1离子源和第2离子源，以两者之间夹着所述基板的位置关系配置；以及控制部件，进行以下的控制：一边使由所述支承部件支承的一张基板或由所述支承部件以各自的处理面的相反面彼此相向的方式支承的两张基板与所述第1离子源以及第2离子源在沿着基板的面的第1方向上相对地移动，一边相对于所述一张基板的两侧的处理面或所述两张基板的各自的所述处理面，从所述第1离子源以及第2离子源照射离子束。

技术领域

本发明涉及基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法。

背景技术

在半导体器件的成膜装置中，作为成膜的前处理，有时进行基于离子束的基板表面的清洗(异物的去除)、蚀刻。以往在相对于基板的两面进行这样的前处理的情况下，如专利文献1那样，采用从固定于腔室内的基板的两侧照射离子束的方法。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－117753号公报

可是，在专利文献1公开的以往方法中，由于在每处理一张基板时需要更换基板，所以作业繁琐，并且生产率非常差。此外，由于不得不对基板的整个面照射离子束，所以具有无法处理大尺寸的基板这样的限制(或导致离子源的大型化这样的缺点)。

发明内容

本发明是鉴于上述实际情况而提出，其目的在于，提供一种能够高效地进行相对于基板的面的表面处理的技术。

用于解决课题的技术方案

本发明的第一技术方案提供一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具有：支承部件，支承基板；第1离子源和第2离子源，以两者之间夹着所述基板的位置关系配置；以及控制部件，进行以下的控制：一边使由所述支承部件支承的一张基板或由所述支承部件以各自的处理面的相反面彼此相向的方式支承的两张基板与所述第1离子源以及第2离子源在沿着基板的面的第1方向上相对地移动，一边相对于所述一张基板的两侧的处理面或所述两张基板的各自的所述处理面，从所述第1离子源以及第2离子源照射离子束。

根据该结构，由于能够一边使基板与离子源相对移动，一边进行对基板的面(一张基板的两侧的处理面或两张基板的各自的处理面)的表面处理，所以能够实现生产率高的处理。此外，由于成为利用离子束在基板的表面在第1方向上扫描的方式，所以以比基板整体的面积小的照射范围的离子束即可。因而，能够利用比较小型的离子源来实现大尺寸的基板的处理。

本发明的第二技术方案提供一种基板处理装置的控制方法，该基板处理装置具备：支承部件，支承基板；以及第1离子源和第2离子源，以两者之间夹着所述基板的位置关系配置，其特征在于，该基板处理装置的控制方法具有以下的工序：使由所述支承部件支承的一张基板或由所述支承部件以各自的处理面的相反面彼此相向的方式支承的两张基板与所述第1离子源以及第2离子源在沿着基板的面的第1方向上相对地移动的工序；以及相对于所述一张基板的两侧的处理面或所述两张基板的各自的所述处理面，从所述第1离子源以及第2离子源照射离子束的工序。

本发明的第三技术方案提供一种成膜装置，其特征在于，该成膜装置具备：上述基板处理装置；以及成膜处理部，对由所述基板处理装置进行了处理的基板的表面进行成膜处理。

本发明的第四技术方案提供一种电子零件的制造方法，其特征在于，该电子零件的制造方法具有：由上述基板处理装置对安装有所述电子零件的基板的表面进行处理的工序；以及对所述基板的表面进行成膜处理的工序。