[发明专利]一种钨窄带箔材的制备方法有效
| 申请号： | 201811531637.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109402719B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 范文博;淡新国;陈二锐;金波;刘晨雨;王喆;张清 | 申请（专利权）人： | 西安瑞福莱钨钼有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/26 | 分类号： | C25F3/26;C22F1/02;C22F1/18;C21D9/46;B21B1/40;B21B37/00;B21B37/74 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710200 陕西省西安市西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 窄带 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钨窄带箔材的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将钨丝材坯料进行抛光处理，去除表面划痕和毛刺缺陷，得到抛光钨丝材；所述抛光钨丝材在500倍的光学显微镜下观察不到拉丝沟槽痕迹残留；
步骤二、对步骤一中得到的抛光钨丝材进行轧制，得到钨箔材；所述轧制的过程采用氩气或氢气保护，所述轧制的温度为750℃～1350℃，轧制道次为2～4次，道次加工率不大于50％；
步骤三、将步骤二中得到的钨箔材在真空或氢气气氛中进行退火，出炉后得到钨窄带箔材。
2.根据权利要求1所述的一种钨窄带箔材的制备方法，其特征在于，步骤一中所述抛光处理采用电解抛光法，所述电解抛光法采用的抛光液中NaOH的质量分数为10％～20％，KCl的质量含量为5％～10％，KNO3的质量含量为2％～5％，所述电解抛光法采用的抛光电压5V～20V，抛光时间为5min～30min。
3.根据权利要求1所述的一种钨窄带箔材的制备方法，其特征在于，步骤二中所述轧制的终轧道次加工率不大于10％，所述终轧道次的轧制前张力为8N～500N，轧制后张力不大于20N。
4.根据权利要求1所述的一种钨窄带箔材的制备方法，其特征在于，步骤三中所述钨箔材在真空气氛中进行退火的真空度小于10-2MPa，温度为750℃～1000℃，保温时间为30min～60min。
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