[发明专利]一种钨窄带箔材的制备方法有效
申请号: | 201811531637.8 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109402719B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 范文博;淡新国;陈二锐;金波;刘晨雨;王喆;张清 | 申请(专利权)人: | 西安瑞福莱钨钼有限公司 |
主分类号: | C25F3/26 | 分类号: | C25F3/26;C22F1/02;C22F1/18;C21D9/46;B21B1/40;B21B37/00;B21B37/74 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710200 陕西省西安市西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 窄带 制备 方法 | ||
本发明公开了一种钨窄带箔材的制备方法,该方法包括:一、将钨丝材坯料进行抛光处理,去除表面划痕和毛刺缺陷,得到抛光钨丝材;二、对抛光钨丝材进行轧制,得到钨箔材;三、将钨箔材在真空或氢气气氛中进行退火,出炉后得到钨窄带箔材。本发明对钨丝材坯料进行抛光处理使抛光钨丝材在500倍的光学显微镜下观察不到拉丝沟槽痕迹残留,不仅消除了钨丝材坯料表面的石墨层和脆性组织以及沟槽,避免了沟槽尖角等应力集中区在后续轧制过程中引起的劈裂或遗留在钨窄带箔材表面的缺陷,提高了钨窄带箔材的弯折性能和稳定性,同时提高了钨窄带箔材表面精度和成品率。
技术领域
本发明属于钨基合金窄带材加工领域,具体涉及一种钨窄带箔材的制备方法。
背景技术
钨是元素周期表中第VIB族元素,具有熔点、强度和弹性模量高,膨胀系数小,蒸汽压低,导电和导热性能良好及优越的抗蚀性能。钨扁带材因其线膨胀系数低,具有优良的热稳定性,同时射线吸收能力也很强,因而被广泛应用于电子、电力、电真空电光源及医疗、冶金等众多领域中。
行波管是一种微波放大器件,广泛用于现代通讯,雷达及电子对抗等高科技领域。螺旋管是行波管的核心部件,在整个微波放大过程中起着至关重要的作用,而高精度钨窄带箔材是用来绕制螺旋管的重要材料,其热稳定性及力学性能好,进而使得行波管性能及寿命大大提高。螺旋管的结构和尺寸决定了电磁波的频率分布,从而形成电子束与波的同步运动,因此钨窄带箔材的尺寸精度,决定了行波管的技术水品及使用性能。
钨窄带箔材主要通过钨丝线材轧制加工而成,由于钨丝本身尺寸极小且脆性大,在常温下难以加工且加工效率极低,高温下加工容易氧化,严重影响了钨窄带成品的表面质量、尺寸精度及力学性能,因此钨窄带箔材加工对材料、设备、工艺均有着较为严格的要求。公开号为CN1079261A专利中公开了一种钨、钼金属窄带的生产方法,其工艺中仅抛光处理了原丝材表面一定厚度的氧化层,最终成品率仅达到70%左右;授权公告号CN104399743的专利中公开了一种钨基难熔合金丝材的热轧方法,该方法提供了一种基于二辊轧机热轧装置的轧制方法,并未对成品窄带除尺寸精度之外的其余特征参数如材料的弯折绕丝性能和垂直度等,提供很好的解决方案。如何制备高精度、高垂直度、高性能的钨窄带箔材,是本行业亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足,提供一种钨窄带箔材的制备方法。该方法对钨丝材坯料进行抛光处理使抛光钨丝材在500倍的光学显微镜下观察不到拉丝沟槽痕迹残留,不仅消除了钨丝材坯料表面的石墨层和脆性组织以及沟槽,避免了沟槽尖角等应力集中区在后续轧制过程中引起的劈裂或遗留在钨窄带箔材表面的缺陷,提高了钨窄带箔材的弯折性能和稳定性,同时提高了钨窄带箔材表面精度和成品率。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种钨窄带箔材的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
步骤一、将钨丝材坯料进行抛光处理,去除表面划痕和毛刺缺陷,得到抛光钨丝材;所述抛光钨丝材在500倍的光学显微镜下观察不到拉丝沟槽痕迹残留;
步骤二、对步骤一中得到的抛光钨丝材进行轧制,得到钨箔材;所述轧制的过程采用氩气或氢气保护,所述轧制的温度为750℃~1350℃,轧制道次为2~4次,道次加工率不大于50%;
步骤三、将步骤二中得到的钨箔材在真空或氢气气氛中进行退火,出炉后得到钨窄带箔材。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安瑞福莱钨钼有限公司,未经西安瑞福莱钨钼有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811531637.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种纳米多孔银的制备方法
- 下一篇:一种工业副产石膏制备无水硫酸钙晶须的方法