[发明专利]一种半导体器件两次丝网印刷方法

权利要求书

1.一种半导体器件两次丝网印刷方法，其步骤包括：

S1：印刷；S2：烘干；S3：烧结；S4：再次印刷；S5：再次烘干；S6：再次烧结；

在所述S1和所述S4的过程中，刮刀与印刷网版的一面接触,所述印刷网版的另一面与一面带有沟槽的硅片接触,所述沟槽围成若干无间断连接的正四边形,所述刮刀推动玻璃浆料在所述印刷网版上向前直线运行,使玻璃浆料被涂覆至所述硅片的沟槽内,所述刮刀印刷方向的切入口为所述印刷网版上相对应沟槽的正四边形的任意一边上的点，且所述刮刀的印刷方向与所述切入点所在边垂直；

所述S1和所述S4中所述刮刀的印刷轨迹为连续性单向运行；

所述S1和所述S4所用的玻璃浆料由纤维素、醇液、触变剂和玻璃粉混合形成；

所述S1中所述纤维素的重量百分比小于所述S4中所述纤维素的重量百分比；

刮刀印刷方向垂直于刮刀切入点所在边的一组同向沟槽，平行于该切入点所在边的另一组非同向沟槽，两组沟槽相互交叉垂直的设置使玻璃浆料在沟槽内直线顺延流动，进而促使玻璃浆料在沟槽内随刮刀压力充满整个沟槽。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件两次丝网印刷方法，其特征在于，所述S1和所述S4中所述刮刀印刷压力为：30-120N，印刷速度为：50-300mm/s，所述刮刀与所述硅片平面的角度为：40-90°，所述刮刀本身材质硬度为：40-80HRC。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件两次丝网印刷方法，其特征在于，所述S2和所述S5中，所述烘干即是将印刷完带有玻璃浆料的硅片放入高温链试炉内进行烘干，烘干温度为：130-200℃，烘干时间为：60-100s。

4.根据权利要求3所述的一种半导体器件两次丝网印刷方法，其特征在于，所述S3和所述S6中，对所述烘干后的玻璃浆料中残余的有机溶剂进行燃烧并去除，使玻璃浆料中的成分只剩下玻璃粉，然后再升至温度较高的烧成温度，使玻璃粉熔融，形成一层透明的玻璃钝化层；烧结温度为550-820℃，烧结时间为6h±10min，其中所述烧结的高温恒温温度为820±20℃，恒温时间20±10min。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种半导体器件两次丝网印刷方法，其特征在于，所述S1与所述S4所用的所述印刷网版结构相同。