[发明专利]一种半导体器件两次丝网印刷方法

说明书

本发明提供一种半导体器件两次丝网印刷方法，其步骤包括：S1：印刷；S2：烘干；S3：烧结；S4：再次印刷；S5：再次烘干；S6：再次烧结。本发明两次印刷过程中，刮刀印刷方向的切入口均为印刷网版上相对应沟槽的正四边形的任意一边上的点，且刮刀的印刷方向与该切入点所在边垂直,同时调整两次玻璃浆料的配比，使S4所用玻璃浆料的粘稠度大于S1所用玻璃浆料的粘稠度，并分别对涂覆后的玻璃浆料进行烘干、烧结，使硅片沟槽处形成双层的玻璃钝化层，能有效解决沟槽尖角处硼结裸露及沟槽底部硅裸露的问题，使沟槽内玻璃钝化层覆盖更全面，PN结的钝化保护更完全，增强了产品的稳定性和可靠性，提高了产品的合格率。

技术领域

本发明属于半导体器件领域，尤其是涉及一种GPP芯片的两次丝网印刷方法。

背景技术

玻璃钝化层不仅可以改善半导体器件的参数，而且还可以增强半导体器件的稳定性和可靠性，亦为后道工序处理提供良好的表面机械保护。目前半导体器件玻璃钝化工艺主要是电泳法、光阻法、刀刻法。但无论哪种方法，在沟槽尖角处，即沟槽与上表面的交界部位的形状比较尖锐，在玻璃烧成熔融状态下，该尖锐部分的粘附性变差，导致此处的玻璃浆料比较薄，甚至不能完全覆盖沟槽，导致沟槽顶端的硼结裸露在外，使沟槽尖角保护不完全。同时还发现，玻璃浆料烘干后在沟槽下部常出现个别气泡，这一缺陷容易在高温熔融后气泡被排出而留有空隙，其所在部位在周围玻璃表面张力的作用下收缩团聚而导致沟槽下部出现裸露硅的现象。沟槽尖角保护不完全及沟槽下部的气泡缺陷会造成漏电、短路、断路，给后续工序加工造成困难等技术问题。

因电泳法在生产中需要使用大量的丙酮，成本高且安全隐患大；光阻法在进行玻璃钝化时引用光刻胶，受光刻胶材料纯度的影响，其产品稳定性不易控制，器件反向漏电流不稳定，可靠性差；刀刻法虽工艺简单，但人工涂覆玻璃粉，玻璃钝化膜薄厚度均匀性较难控制。

发明内容

本发明针对上述现有技术中存在的问题，提供了一种半导体器件两次丝网印刷方法，通过两次丝网印刷，并在每次印刷之后分别进行烘干处理及烧结处理，解决了沟槽尖角保护不完全及沟槽下部裸露硅的问题，使玻璃钝化层具有高度的完整性，完全覆盖沟槽表面，确保沟槽保护完全，两次丝网印刷方法合理，适于批量生产。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案实现的：

一种半导体器件两次丝网印刷方法，其步骤包括：

S1：印刷，在腐蚀的沟槽内涂覆玻璃浆料；

S2：烘干，对印刷玻璃浆料中的有机溶剂进行烘干，并固结玻璃浆料；

S3：烧结，对烘干后的玻璃浆料中的有机物进行燃烧、去除；使玻璃粉熔融，烧结形成透明的第一层玻璃钝化保护膜；

S4：再次印刷，在已形成玻璃的沟槽内第二次涂覆玻璃浆料；

S5：再次烘干，对二次涂覆玻璃浆料中的有机溶剂进行烘干，并固结玻璃浆料；

S6：再次烧结，对烘干后的玻璃浆料中的有机物进行燃烧、去除；使玻璃粉熔融，烧结形成透明的第二层玻璃钝化保护膜。

进一步的，在所述S1和所述S4的过程中，刮刀与印刷网版一面接触, 所述印刷网版的另一面与一面带有沟槽的硅片接触,所述沟槽围成若干无间断连接的正四边形,所述刮刀推动玻璃浆料在所述印刷网版上向前直线运行, 使玻璃浆料被涂覆至所述硅片的沟槽内,所述刮刀印刷方向的切入口为所述印刷网版上相对应沟槽的正四边形的任意一边上的点，且所述刮刀的印刷方向与该切入点所在边垂直。

进一步的，S1和所述S4中所述刮刀的印刷轨迹为连续性单向运行。

进一步的，所述S1和所述S4所用的玻璃浆料由纤维素、醇液、触变剂和玻璃粉混合形成。

进一步的，所述S1中所述纤维素的重量百分比小于所述S4中所述纤维素的重量百分比。