[发明专利]利用激光剥离微器件的方法在审
| 申请号： | 201811535381.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111326464A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郭恩卿;邢汝博;李晓伟;韦冬;张宇;郭凯;朱正勇;李旭娜;黄秀颀 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 激光 剥离 器件 方法 | ||
1.一种利用激光剥离微器件的方法，其特征在于，包括：
在第一衬底的第一表面设置遮挡结构，其中，在所述第一衬底的第二表面具有M个微器件，所述遮挡结构包括N个开口，M和N为整数，M大于等于N；
在第二衬底和所述第一衬底的第二表面之间设置N个连接器件，并将所述N个微器件与所述N个连接器件对应连接，其中所述N个连接器件固定在所述第二衬底；
利用激光照射所述N个开口，以使所述N个微器件与所述第一衬底分离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光的光斑尺寸大于所述开口的尺寸。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述遮挡结构包括掩膜。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N个开口的形状分别与所述N个微器件在所述第一衬底的投影的形状相适应。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N个开口的位置在所述遮挡结构上按照一定的规律分布，使得与所述N个微器件与所述第一衬底的第二表面之间的界面能够接受所述激光的照射。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述N个开口的位置在所述遮挡结构上按照一定的规律分布包括：
所述N个开口的位置对应的N个所述微器件中，相邻的两个所述微器件之间，包含有n个所述微器件，其中，n为非负整数；
所述方法还包括：
在所述利用激光照射所述N个开口，以使所述N个微器件与所述第一衬底分离之后，迭代执行上述步骤，直到所述第一衬底上残留的所述微器件的数量小于N，其中，相邻的所述开口之间的距离保持不变。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述M个微器件设置在所述第一衬底上，
其中所述在第二衬底和所述第一衬底的第一表面之间设置N个连接器件，并将所述N个微器件与所述N个连接器件对应连接，包括：
在第二衬底设置N个连接器件，所述N个连接器件对应于所述M个微器件中的N个微器件；
将所述N个微器件与所述N个连接器件对应连接。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述M个微器件中的每一个包括电极和半导体器件，所述将所述M个微器件设置在第一衬底上，包括：在所述第一衬底上设置M个半导体器件，并分别在所述M个半导体器件上设置M个电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述微器件包括半导体微器件，所述半导体包括氮化镓半导体，所述第一衬底包括蓝宝石衬底；所述激光为深紫外激光。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述半导体微器件包括微LED显示器件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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