[发明专利]利用激光剥离微器件的方法

说明书

本发明提供了一种利用激光剥离微器件的方法。该方法包括：设置遮挡结构于第一衬底的第一表面，其中，多个微器件连接在第一衬底的第二表面上，其中，第一表面与第二表面相互平行，并且多个微器件在第二表面上形成多个连接面，遮挡结构具有至少一个开口，并且，开口中的至少一个开口所对应的位置上，只容纳一个连接面；使用激光照射开口，进而照射开口中的连接面，使得微器件与第一衬底分离，由于开口限制了激光的照射范围，进而控制激光产生冲击的范围，从而降低了剥离过程对其他微器件的影响，并且，通过设置开口，能够更方便的选择性剥离微器件，使激光的控制结构简化，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种利用激光剥离微器件的方法方法。

背景技术

近年来，利用激光剥离衬底上的微器件已经成为较成熟的工业技术。然而，当微器件的尺寸到达微米级量级时，使用传统的方式进行剥离显现出了一些弊病，例如，如果使用光斑尺寸较小的激光进行剥离，则剥离速度会大幅增加，降低生产效率。如果使用光斑尺寸较大的激光进行剥离，则同一个光斑内有可能包含不需要被剥离的微器件，导致微器件受到损伤。

因此，亟待一种能够高效精确地对微器件进行激光剥离的方法。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种利用激光剥离微器件的方法，能够降低剥离过程对其他微器件的影响，从而高效精确地对微器件进行激光剥离。

本发明的一个方面提供一种利用激光剥离微器件的方法，包括：在第一衬底的第一表面设置遮挡结构，其中，在第一衬底的第二表面具有M个微器件，遮挡结构包括N个开口，M和N为整数，M大于等于N；在第二衬底的第一表面和第一衬底的第二表面之间设置N个连接器件，并将N个微器件与N个连接器件对应连接，其中N个连接器件固定在第二衬底；利用激光照射N个开口，以使N个微器件与第一衬底分离。

在本发明中，激光的光斑尺寸大于开口的尺寸。

在本发明的一个实施例中，遮挡结构包括掩膜。

在本发明的一个实施例中，N个开口的形状分别与N个微器件在第一衬底的投影的形状相适应。

在本发明的一个实施例中，N个开口的位置在遮挡结构上按照一定的规律分布，使得与N个微器件与第一衬底的第二表面之间的界面能够接受激光的照射。

在本发明的一个实施例中，所述N个开口的位置在所述遮挡结构上按照一定的规律分布包括：

所述N个开口的位置对应的N个所述微器件中，相邻的两个所述微器件之间，包含有n个所述微器件，其中，n为非负整数。

在本发明的一个实施例中，所述方法还包括：

在所述利用激光照射所述N个开口，以使所述N个微器件与所述第一衬底分离之后，迭代执行上述步骤，直到所述第一衬底上残留的所述微器件的数量小于N，其中，相邻的所述开口之间的距离保持不变。

在本发明的一个实施例中，N个开口中的相邻开口之间的距离通过如下公式计算：

d＝n*(a+b)+b；

式中，d—两个相邻开口之间的距离；

a—微器件与第一衬底之间的连接面的尺寸；

b—两个相邻微器件之间的距离；

n—自然数；

还包括：

如果M＝2*N，则在N个微器件与第一衬底分离后，将M设置成M-N，并针对新的N个微器件迭代执行上述步骤，以将新的N个微器件与第一衬底分离，直到M个微器件与衬底分离，其中，相邻开口之间的距离保持不变。