[发明专利]一种激光剥离方法有效
申请号: | 201811535413.4 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111318810B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 李晓伟 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B23K26/36;H01L33/00 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 剥离 方法 | ||
1.一种激光剥离方法,其特征在于,包括:
提供待剥离组件,所述待剥离组件包括衬底和形成于所述衬底之上的靶材膜层;
采用一组同心环形光斑激光束从边缘向中心依次顺序照射所述衬底表面,以对所述衬底进行剥离;
其中,相邻两束所述环形光斑激光束的覆盖范围包括重叠区域,每个所述环形光斑激光束的边界轮廓为锯齿状。
2.根据权利要求1所述的激光剥离方法,其特征在于,所述一组同心环形光斑激光束中的每一个环形光斑激光束的轮廓形状和所述待剥离组件的形状相适应。
3.根据权利要求1所述的激光剥离方法,其特征在于,采用一组同心环形光斑激光束从边缘向中心依次顺序照射所述衬底表面,以对所述衬底进行剥离包括:
将激光剥离设备移动到所述待剥离组件正上方;
调整激光剥离设备,使其依次顺序出射一组同心环形光斑激光束,以从边缘向中心顺序照射所述衬底表面。
4.根据权利要求1所述的激光剥离方法,其特征在于,所述衬底包括蓝宝石衬底,所述靶材膜层包括氮化系半导体材料膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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