[发明专利]激光剥离方法和蓝宝石衬底上发光二极管器件外延结构

权利要求书

1.一种激光剥离方法，其特征在于，包括：

在蓝宝石衬底上生长牺牲层，所述牺牲层包括氮化系半导体层；

在所述牺牲层中注入离子，所述离子为还原性离子，受热与所述氮化系半导体层中的电子结合生成气体；

在所述牺牲层表面生长发光二极管器件外延结构；

采用激光穿过所述蓝宝石衬底对所述牺牲层进行照射使其分解，以将所述蓝宝石衬底和所述发光二极管器件外延结构分离；

其中，所述牺牲层包括交替设置的第一区域和第二区域；在所述牺牲层中注入离子包括：采用掩模分别对所述第一区域和所述第二区域注入离子，以使所述第一区域的离子浓度高于所述第二区域的离子浓度。

2.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于，在所述牺牲层表面生长发光二极管器件外延结构包括：

在所述牺牲层的所述第二区域表面生长发光二极管器件外延结构。

3.根据权利要求1所述的激光剥离方法，其特征在于，在所述牺牲层中注入离子包括：

按照预定深度在所述牺牲层中注入离子，以形成上下叠置的接触层和离子注入层。

4.根据权利要求1-3中任一所述的激光剥离方法，其特征在于，所述氮化系半导体层包括氮化镓层或氮化铝层；和/或，

所述离子包括氢离子、氨气离子、氩离子。

5.一种蓝宝石衬底上发光二极管器件外延结构，其特征在于，包括：

蓝宝石衬底；

生长在所述蓝宝石衬底上的发光二极管器件外延结构；以及

牺牲层，所述牺牲层位于所述蓝宝石衬底和所述发光二极管器件外延结构之间，包括被注入的离子，所述离子为还原性离子，受热与氮化系半导体层中的电子结合生成气体，所述牺牲层包括间隔排布的第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域的离子浓度不同。

6.根据权利要求5所述的蓝宝石衬底上发光二极管器件外延结构，其特征在于，所述牺牲层中的所述离子的浓度相同。