[发明专利]激光器芯片的制备方法

权利要求书

1.一种激光器芯片的制备方法，包括步骤：

S1:提供一外延层，所述外延层包括一P面；

S2:在所述外延层的所述P面上形成一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；

S3:在所述开口区中形成一表面镀层；

S4:移除所述图案层，使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括第一图案线路，所述第一图案线路对应所述外延层的自然解理面；

S5:沿所述第一图案线路对所述外延层进行劈裂分割，所述外延层的劈裂宽度小于所述第一图案线路的宽度，得到多个芯片半成品；

沿与所述第一图案线路相垂直的芯片待切割线路分别对所述芯片半成品的所述外延层和所述表面镀层进行切割，所述外延层的切割宽度大于所述表面镀层的切割宽度；

对所述芯片半成品的前腔面镀增透膜，后腔面镀高反射膜，从而得到多个所述激光器芯片。

2.如权利要求1所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1包括在所述外延层的所述P面上形成一过渡层，所述过渡层包括形成于所述外延层上的一种子层以及形成于所述种子层远离所述外延层的表面上的一中间镀层，步骤S5还包括沿所述第一图案线路对所述过渡层进行切割。

3.如权利要求1所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，步骤S5包括对所述外延层进行减薄和抛光处理。

4.如权利要求1所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，移除所述图案层的方法为浸入剥离液以溶解所述图案层。