[发明专利]激光器芯片的制备方法

说明书

一种激光器芯片的制备方法，包括：提供一外延层，所述外延层包括一P面；在所述外延层的P面上形成一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；在所述开口区中形成一表面镀层；移除所述图案层，使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括多个图案线路；沿所述图案线路对所述外延层及所述表面镀层进行切割，从而得到多个激光器芯片；本发明实施例通过新型的图案层表面镀层设计，利用表面镀层中的镀层图案可直接对外延层进行劈裂分割，从而得到多个独立的激光器芯片，相较于现有的激光器芯片切割，简化了工艺流程，提高了生产效率，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种激光器芯片的制备方法。

背景技术

本部分旨在为权利要求书中陈述的本发明的具体实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

半导体激光泵浦的全固态激光器是20世纪80年代末期出现的新型激光器，其总体效率至少要比灯泵浦高10倍，由于单位输出的热负荷降低，可获取更高的功率，系统寿命和可靠性大约是闪光灯泵浦系统的100倍，因此，半导体激光器泵浦技术为固体激光器注入了新的生机和活力，使全固态激光器同时具有固体激光器和半导体激光器的双重特点，它的出现和逐渐成熟是固体激光器的一场革命，也是固体激光器的发展方向。

市场上侧面泵浦半导体线阵激光器，若要保证大功率输出，通常需要包括多个独立的激光器巴条。目前，这种激光器的封装工艺首先是将整个激光器芯片切割成独立的多个激光器巴条，在激光器巴条沿着腔体的后腔面镀高反射膜、前腔面镀增透膜，然后将多个所述激光器巴条的P面朝下先后焊接在热沉基板上。由于现有工艺无法实现同时在热沉基板上焊接多个激光器巴条，多次焊接的工艺显然无法满足大功率激光器以及超大功率激光器的生产效率要求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种激光器芯片的制备方法，能够解决以上问题。

本发明实施例提供一种激光器芯片的制备方法，包括步骤：

S1:提供一外延层，所述外延层包括一P面；

S2:在所述外延层的所述P面上形成一图案层，所述图案层包括一图案区以及除所述图案区之外的开口区；

S3:在所述开口区中形成一表面镀层；

S4:移除所述图案层，使所述表面镀层中形成与所述图案区对应的镀层图案，所述镀层图案包括多个图案线路；

S5:沿所述多个图案线路对所述外延层及所述表面镀层进行切割，从而得到多个激光器芯片。

根据本发明一实施方式，所述镀层图案包括第一图案线路，步骤S5包括沿所述第一图案线路对所述外延层进行劈裂分割，从而得到包含多个解理面的芯片半成品。

根据本发明一实施方式，所述外延层的劈裂宽度小于所述第一图案线路的宽度。

根据本发明一实施方式，步骤S5包括对所述多个芯片半成品的所述外延层进行切割；以及对所述多个芯片半成品的所述表面镀层进行切割，从而得到所述激光器芯片。

根据本发明一实施方式，所述外延层的切割宽度大于所述表面镀层的切割宽度。

根据本发明一实施方式，所述镀层图案还包括与所述第一图案线路相垂直的多个第二图案线路，步骤S5包括沿所述第二图案线路对所述多个芯片半成品的所述外延层进行切割，从而得到所述激光器芯片。

根据本发明一实施方式，在所述步骤S1包括在所述外延层的所述P面上形成一过渡层，所述过渡层包括形成于所述外延层上的一种子层以及形成于所述种子层远离所述外延层的表面上的一中间镀层。

根据本发明一实施方式，步骤S5包括对所述多个芯片半成品的所述外延层进行减薄和抛光处理。