[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件的制备方法在审
申请号: | 201811538853.5 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109686837A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 胡双元;米卡·瑞桑 | 申请(专利权)人: | 苏州矩阵光电有限公司 |
主分类号: | H01L43/04 | 分类号: | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 朱静谦 |
地址: | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 霍尔元件 制备 功能层 衬底 粘附 半导体 磁性基板 高灵敏度 牺牲层 半导体技术领域 霍尔元件表面 功能层薄膜 功能层表面 选择性腐蚀 衬底剥离 传统工艺 磁性芯片 金属电极 柔性薄膜 台面刻蚀 灵敏度 钝化 封装 剥离 腐蚀 芯片 | ||
1.一种高灵敏度霍尔元件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a)提供半导体衬底;
b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层;
c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层;
d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜,然后采用选择性腐蚀溶液进行腐蚀剥离,将半导体衬底与霍尔元件功能层分离;
e)霍尔元件功能层粘附于磁性基板上;
f)制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化;
g)在磁性基板表面先形成一层绝缘层,然后再与霍尔元件功能层粘附,使得霍尔元件表面粘附磁性芯片,进行封装。
2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法,其特征在于,腐蚀剥离后的半导体衬底,经过简单处理后,可重复用于外延生长。
3.根据权利要求1所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法,其特征在于,所述牺牲层采用砷化铝,所述选择性腐蚀溶液采用氢氟酸溶液。
4.根据权利要求1所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法,其特征在于,所述绝缘层采用二氧化硅。
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