[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件的制备方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a)提供半导体衬底；b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜，然后采用选择性腐蚀方法进行腐蚀剥离，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e)霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；f)制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；g)霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。根据本发明，采用外延方法制备的霍尔元件功能层薄膜，性能远远好于传统工艺制备的霍尔元件；采用衬底剥离方法制备霍尔元件功能层，可大大降低生产成本；磁性基板和芯片，可以大大提高霍尔元件的灵敏度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件的制备方法。

背景技术

目前霍尔元件主要包括砷化镓霍尔元件、锑化铟霍尔元件和砷化铟霍尔元件，其中用量最大的是砷化镓霍尔元件和锑化铟霍尔元件。砷化镓霍尔元件具有优良的线性度和温度稳定性，但是灵敏度略低。对于砷化镓霍尔元件来说，其结构一般包括昂贵的半导体衬底，采用外延方法或者离子注入方法制备，其成本较高。

锑化铟体材料的电子迁移率非常高，达到78000cm2/Vs，因此，锑化铟霍尔元件具有非常高的灵敏度。锑化铟霍尔元件一般采用外延方法或者真空蒸镀的方法制备。锑化铟材料因为没有合适的晶格匹配的衬底，一般采用砷化镓衬底进行外延生长，因此晶格存在一定的失配。以砷化镓衬底生长的锑化铟薄膜，迁移率可以达到40000－50000cm2/Vs，能够制备灵敏度很高的霍尔元件。

采用真空蒸镀方法制备的锑化铟薄膜，迁移率一般为20000－30000cm2/Vs。为了进一步提高霍尔元件的灵敏度，将锑化铟薄膜转移至磁性基板上，这种方法制备的霍尔元件，其灵敏度可以提高3－6倍。

采用外延或者离子注入方法制备的霍尔元件薄膜，其性能要高于真空蒸镀方法制备的薄膜。US4398342A专利，通过衬底腐蚀方法，将外延方式生长的砷化镓霍尔元件功能层转移至磁性衬底上，大大提高了砷化镓霍尔元件的灵敏度，但是这种方法存在极大的浪费，生产成本较高。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于提供一种低成本的方法制备高灵敏度的霍尔元件。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：

a)提供半导体衬底；

b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；

c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层；

d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜，然后采用选择性腐蚀溶液进行腐蚀剥离，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；

e)霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；

f)制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；

g)在磁性基板表面先形成一层绝缘层，然后再与霍尔元件功能层粘附，使得霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。

更优选地，腐蚀剥离后的半导体衬底，经过简单处理后，可重复用于外延生长。

更优选地，所述牺牲层采用砷化铝，所述选择性腐蚀溶液采用氢氟酸溶液。

更优选地，所述绝缘层采用二氧化硅。

本发明技术方案，具有如下优点：

1.本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，通过衬底剥离的方法，将外延方式生长的霍尔元件薄膜，转移至磁性基板上。该方法制备的砷化镓霍尔元件，其灵敏度是传统方法制备的砷化镓霍尔元件的3－6倍；该方法制备的锑化铟霍尔元件，其灵敏度是传统真空蒸镀方法制备的锑化铟霍尔元件灵敏度的2倍。