[发明专利]存储器件及其操作方法

说明书

一种存储器件包括：非易失性存储电路，其适用于储存缺陷列信息；缺陷锁存电路，其适用于在启动操作期间接收并储存来自非易失性存储电路的缺陷列信息；错误校正码发生电路，其适用于基于缺陷列信息而产生用于校正缺陷列信息的错误的错误校正码；错误校正码锁存电路，其适用于储存错误校正码；错误校正电路，其适用于基于从错误校正码锁存电路传输来的错误校正码而校正从缺陷锁存电路传输来的缺陷列信息的错误以产生错误已被校正的缺陷列信息；以及存储体，其适用于基于错误已被校正的缺陷列信息而执行列修复操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年12月21日提交的申请号为10-2017-0176875的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储器件，并且更特别地涉及与修复相关的技术。

背景技术

在半导体存储器件行业的早期阶段，晶片上有很多好裸片，这意味着通过半导体制造工艺制造出了没有任何缺陷存储单元的存储器芯片。然而，随着存储器件的容量的增加，制造出不具有任何缺陷存储单元的存储器件变得困难。目前，制造出没有任何缺陷存储单元的存储器件是基本不可能的。为了解决这个问题，已经开发了将冗余存储单元包括在存储器件中并且用冗余存储单元替换缺陷存储单元的修复方法。

图1是示出传统存储器件中的修复操作的框图。

图1示出了与一个存储体BKN(即，存储体N，其中N是等于或大于“0”的任意整数)相对应的结构。

参考图1，存储体BKN可以包括单元阵列110、行电路120、列电路130和比较电路140。熔丝电路150可以储存用于修复存储体BKN的缺陷列地址DEFECT_C_ADD。

单元阵列110可以包括用于储存数据的多个存储单元。单元阵列110可以包括在行方向上排列的多个字线以及在列方向上排列的多个位线，且存储单元可以排列在字线与位线之间的交叉点处。单元阵列110可以包括不同于常规位线的用于修复位线的冗余位线。

当行激活信号RACT_BKN被激活的时候，行电路120可以激活基于行地址R_ADD而被选中的字线。当存储体BKN的激活操作被指示时，行激活信号RACT_BKN可以被激活，且当该存储体的预充电操作被指示时，行激活信号可以不激活。

列电路130可以访问(读取或写入)基于列地址C_ADD而被选中的位线的数据。读取信号IRD_BKN可以是在存储体BKN的读取操作被指示时被激活的信号，且写入信号IWT_BKN是在存储体BKN的写入操作被指示时被激活的信号。当读取信号IRD_BKN被激活时，读取操作可以被执行，且当写入信号IWT_BKN被激活时，写入操作可以被执行。

熔丝电路150可以将与单元阵列110中的缺陷存储单元相对应的列地址储存为缺陷列地址DEFECT_C_ADD。比较电路140可以将在读取操作或写入操作期间输入的列地址C_ADD与储存在熔丝电路150中的缺陷列地址DEFECT_C_ADD作比较。当比较电路140的结果显示出列地址C_ADD与缺陷列地址DEFECT_C_ADD相同时，可以访问冗余位线而非由列地址C_ADD指定的位线。当比较电路140的结果表明列地址C_ADD与缺陷列地址DEFECT_C_ADD不同时，可以访问由列地址C_ADD指定的位线。

熔丝电路150可以使用激光熔丝，激光熔丝根据激光熔丝是否被编程(切断)而储存逻辑高电平或逻辑低电平。激光熔丝可以被编程直到晶片的阶段为止，而在晶片安装在封装体内部之后不可以被编程。

图2是示出用于将修复信息储存在存储器件中的传统的非易失性存储电路的框图。

参考图2，存储器件可以包括多个存储体BK0至BK3、分别被提供给存储体BK0至BK3以储存缺陷列信息的缺陷锁存电路210_BK0至210_BK3，以及非易失性存储电路201。