[发明专利]半导体器件和半导体系统有效

专利信息
申请号: 201811544186.1 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN109962743B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 森长也 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H04B17/14 分类号: H04B17/14;H04B1/401;H04B1/44
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 半导体 系统
【权利要求书】:

1.一种包括RF电路和微控制器的半导体器件,

其中所述RF电路包括:

发射单元,生成发射信号;

接收单元,生成第一生成信号和第二生成信号;以及

发射/接收环回切换单元,在将所述发射单元的输出端子耦合到发射天线、并且将所述接收单元的输入端子耦合到接收天线的第一耦合状态与将所述发射单元的输出端子耦合到所述接收单元的所述输入端子的第二耦合状态之间进行切换,

其中所述接收天线是接收反射波作为接收信号的天线,所述反射波是当所述发射/接收环回切换单元处于所述第一耦合状态时从所述发射天线发射、并且由目标对象反射的发射信号,以及

其中在所述第一生成信号在所述发射/接收环回切换单元处于所述第一耦合状态时是不正常的情况下,所述微控制器将所述发射/接收环回切换单元切换到所述第二耦合状态,并且

所述微控制器基于当所述发射/接收环回切换单元处于所述第二耦合状态时的所述第二生成信号、以及基于检测所述目标对象的第一传感器电路的输出信号,来执行所述RF电路的测试。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中当所述发射/接收环回切换单元处于所述第二耦合状态时,在所述第二生成信号的频率在正常范围之外、并且所述第一传感器电路的输出信号指示检测到所述目标对象的情况下,所述微控制器执行所述RF电路的详细测试。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中当所述RF电路的异常通过所述详细测试被检测到时,所述微控制器执行误差处理。

4.根据权利要求2所述的半导体器件,

其中所述发射单元包括:

在所述第一耦合状态和所述第二耦合状态下使用的发射电路;以及

仅在所述第二耦合状态下使用的用于测试的发射电路,

其中所述接收单元包括在所述第一耦合状态和所述第二耦合状态下使用的接收电路和混频器,以及

其中通过将所述发射电路的数目和所述用于测试的发射电路的数目相加而获取的数目等于所述接收电路的数目和所述混频器的数目。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,

其中所述RF电路还包括时钟生成单元,

其中所述时钟生成单元包括:

生成第一时钟信号的第一时钟生成电路;以及

生成第二时钟信号的第二时钟生成电路,

其中所述接收单元还包括时钟切换电路,所述时钟切换电路选择所述第一时钟信号或所述第二时钟信号、并且向所述混频器提供所选择的信号,

其中所述微控制器进行控制,以使所述时钟切换电路在所述第一耦合状态下选择所述第一时钟信号,并且使所述时钟切换电路在所述第二耦合状态下选择所述第二时钟信号。

6.根据权利要求2所述的半导体器件,

其中所述微控制器包括定时器,在所述定时器中设置对所述RF电路的定期测试的时间间隔进行计数的计数时间,以及

其中当所述定时器指示执行所述定期测试的时间时,所述微控制器将所述发射/接收环回切换单元从所述第一耦合状态切换到所述第二耦合状态。

7.根据权利要求2所述的半导体器件,其中当所述发射/接收环回切换单元处于所述第二耦合状态、所述第一传感器电路的输出信号指示检测到所述目标对象、并且用于监测外部因素的第二传感器电路的输出信号的值在正常范围内时,在所述第二生成信号的频率在正常范围之外的情况下,所述微控制器执行所述RF电路的详细测试。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一生成信号是从所述接收信号和第一时钟信号生成的第一拍频信号,并且所述第二生成信号是从所述发射信号和第二时钟信号生成的第二拍频信号。

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