[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201811544556.1 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109659276B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 袁文豪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/136 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
S10、提供一基板,在所述基板上形成一非晶硅层;
S20、在所述非晶硅层上依次形成第一金属层、第二金属层及第一光阻层;
S30、利用第一光罩工艺,使所述第一金属层形成第一金属图案层,及所述第二金属层形成第二金属图案层;
S40、利用第一蚀刻工艺,使所述第一金属图案层形成保护层、及对所述非晶硅层图案化处理使所述非晶硅层形成有源层,所述有源层在所述第二金属图案层上的正投影位于所述第二金属图案层内、以及所述有源层在所述第二金属图案层上的正投影面积小于所述第二金属图案层的面积;
S50、利用第二蚀刻工艺,去除所述第二金属图案层及所述保护层边缘区域中超出所述有源层的部分,使所述第二金属图案层形成源漏极;
S60、剥离所述第一光阻层;
其中,所述第一蚀刻工艺为等离子蚀刻,所述等离子蚀刻通过等离子气体对所述非晶硅层蚀刻,所述等离子气体中的氧气占所述等离子气体总量的1%,所述等离子气体中的等离子氧与所述第一金属图案层形成对应的金属氧化物的保护层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,步骤S30包括:
S301、对所述第一光阻层进行曝光、显影处理,以形成图案化的所述第一光阻层;
S302、利用第三蚀刻工艺,对所述第二金属层图案化处理,使所述第二金属层形成所述第二金属图案层;
S303、利用第四蚀刻工艺,对所述第一金属层图案化处理,使所述第一金属层形成所述第一金属图案层;
所述第一金属图案层与所述第二金属图案层的图案相同。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一金属层的金属材料包括钼。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,在所述基板上形成一非晶硅层之前,还包括:
在所述基板上形成一栅极;
在所述栅极上形成一栅绝缘层。
5.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板由权利要求1~4任一项所述显示面板的制作方法制成。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述源漏极的材料包括铜、铝、钛中的一种或一种以上的组合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造