[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201811544556.1 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109659276B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 袁文豪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;G02F1/136 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请提出了一种显示面板及其制作方法,所述制作方法包括:提供一基板,在所述基板上依次形成非晶硅层、第一金属层、第二金属层及第一光阻层;利用第一光罩工艺,所述第一金属层形成第一金属图案层,及所述第二金属层形成第二金属图案层;利用第一蚀刻工艺,使所述第一金属图案层形成保护层、及对所述非晶硅层图案化处理使所述非晶硅层形成有源层;利用第二蚀刻工艺,去除所述第二金属图案层及所述保护层边缘区域中超出所述有源层的部分,使所述第二金属图案层形成源漏极。本申请通过在有源层与源漏极之间形成以保护层,避免在进行源漏极图案化处理时,位于源漏极下方的有源层被蚀刻,提高了产品的良率和品质。
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)是目前市场上应用最为广泛的显示产品,其生产工艺技术十分成熟,产品良率高,生产成本相对较低,市场接受度高。
现有LCD制程中,有源层上设置有源漏极金属层。由于灰化工艺的处理,使得位于源漏极金属层上的光阻层变薄,部分源漏极金属层裸露。因此,在对源漏极金属层进行蚀刻工艺时,位于源漏极金属层下方的部分有源层同时会被蚀刻掉,导致产品产生静电释放的风险,降低了产品的良率。
因此,本申请基于此技术问题,而提出了一新型的结构。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制作方法,以解决现有液晶显示面板制程中产生静电释放的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种显示面板的制作方法,其包括步骤:
S10、提供一基板,在所述基板上形成一非晶硅层;
S20、在所述非晶硅层上依次形成第一金属层、第二金属层及第一光阻层;
S30、利用第一光罩工艺,使所述第一金属层形成第一金属图案层,及所述第二金属层形成第二金属图案层;
S40、利用第一蚀刻工艺,使所述第一金属图案层形成保护层、及对所述非晶硅层图案化处理使所述非晶硅层形成有源层,
所述有源层在所述第二金属图案层上的正投影位于所述第二金属图案层内;
S50、利用第二蚀刻工艺,去除所述第二金属图案层及所述保护层边缘区域中超出所述有源层的部分,使所述第二金属图案层形成源漏极;
S60、剥离所述第一光阻层。
在本申请的制作方法中,步骤S30包括:
S301、对所述第一光阻层进行曝光、显影处理,以形成图案化的所述第一光阻层;
S302、利用第三蚀刻工艺,对所述第二金属层图案化处理,使所述第二金属层形成所述第二金属图案层;
S303、利用第四蚀刻工艺,对所述第一金属层图案化处理,使所述第一金属层形成所述第一金属图案层;
所述第一金属图案层与所述第二金属图案层的图案相同。
在本申请的制作方法中,所述第二金属图案层包括第一部分和位于所述第一部分外围的第二部分,所述第一部分在所述有源层上的正投影位于所述有源层内;
其中,所述第二蚀刻工艺用于去除所述第二部分,使所述第一部分形成所述源漏极。
在本申请的制作方法中,所述第一蚀刻工艺为等离子蚀刻,所述等离子蚀刻通过等离子气体对所述非晶硅层蚀刻;
所述等离子气体包括四氟化氮、六氟化硫、氧气中的一种或者一种以上的混合体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造