[发明专利]存储器件、差分只读存储器(ROM)器件及其操作方法

说明书

只读存储器(ROM)器件包括电连接至位线(BL)或电连接至的存储器单元，其中，表示BL的互补位线。ROM器件将BL和预充电至第一逻辑值。ROM器件激活存储器单元，以在存储器单元连接至BL时，使BL放电，或在存储器单元连接至时，使放电。当BL小于时，ROM器件读取存储在存储器单元内的第一逻辑值。否则，当BL大于时，ROM器件读取存储在存储器单元内的第二逻辑值。本发明的实施例还提供了存储器件、差分只读存储器(ROM)器件及其操作方法。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及存储器件、差分只读存储器(ROM)器件及其操作方法。

背景技术

存储器件是用于存储电子数据的电子器件。存储器件可以实现为诸如随机存取存储器(RAM)的易失性存储器，其中，该易失性存储器需要电源来保持其存储的信息，或实现为诸如只读存储器(ROM)的非易失性存储器，其中，该非易失性存储器即使在不供电时也能保持其存储的信息。ROM可以实现为可编程只读存储器(PROM)、一次可编程ROM(OTP)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)和/或电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)(以提供一些实例)。可以通过各个控制线选择性地访问ROM内的一个或多个存储器单元来读取电子数据。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种只读存储器(ROM)器件，包括：存储器单元，连接至位线BL或连接至以及感测放大器，配置为：响应于所述BL小于所述读取存储在所述存储器单元内的第一逻辑值，以及响应于所述BL大于所述读取存储在所述存储器单元内的第二逻辑值，其中，所述第二逻辑值不同于所述第一逻辑值。

根据本发明的另一方面，提供了一种存储器件，包括：多个存储器单元，配置为多行和多列，所述多列中的每列连接至来自于多条差分位线(BL)中的对应差分位线；预充电电路，配置为将与所述多个存储器单元中的存储器单元相对应的所述多条差分位线中的差分位线至少预充电至第一逻辑值；存储控制器，配置为激活所述存储器单元，所述存储器单元在被激活时配置为：当所述存储器单元连接至来自于所述差分位线中的BL时，将所述BL至少放电至小于所述第一逻辑值的读取裕度值，或当所述存储器单元连接至来自于所述差分位线中的时，将所述至少放电至所述读取裕度值；以及感测放大器，配置为：响应于所述BL比所述至少小所述读取裕度值，读取存储在所述存储器单元内的所述第一逻辑值，以及响应于所述BL比所述至少大所述读取裕度值，读取存储在所述存储器单元内的第二逻辑值。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于操作只读存储器(ROM)器件的方法，所述只读存储器器件具有多个存储器单元，所述方法包括：通过所述只读存储器器件将所述只读存储器器件的位线BL和所述只读存储器器件的预充电至第一逻辑值；通过所述只读存储器器件激活来自于所述多个存储器单元中的存储器单元；以及响应于所述BL小于所述通过所述只读存储器器件读取存储在所述存储器单元内的第一逻辑值，或响应于所述BL大于所述通过所述只读存储器器件读取存储在所述存储器单元内的第二逻辑值。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1示出根据本发明的示例性实施例的示例性只读存储(ROM)器件的框图；

图2、图3A和图3B示出根据本发明的示例性实施例的示例性ROM器件的第一示例性操作；

图4A示出根据本发明的示例性实施例的在示例性ROM器件内可以实现的第一示例性差分感测放大器；

图4B示出根据本发明的示例性实施例的在示例性ROM器件内可以实现的第二示例性差分感测放大器；

图5、图6A、图6B和图6C示出根据本发明的示例性实施例的示例性ROM器件的第二示例性操作；