[发明专利]一种基于特征量的闪存寿命预测方法、系统及存储介质

权利要求书

1.一种基于特征量的闪存寿命预测方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤101，对需要进行寿命预测的闪存的特征量进行测量，保存测量所得的闪存特征量，所述的闪存的特征量至少包括闪存的编程时间、读取时间、擦除时间、电流、芯片功耗、阈值电压分布、存储块编号、存储页号、闪存当前经历过的编程/擦除周期数、条件错误页数、条件错误块数、错误比特数和错误率中的一种或多种；

步骤102，对测量得到的特征量中的一种特征量或几种特征量进行运算操作，保存特征量运算操作结果；

步骤103，将步骤101中测量得到的特征量及步骤102中特征量的运算操作结果构成集合，取集合中的子集按一定规则计算或判断，通过计算或判断结果预测闪存的使用寿命；

所述的取集合中的子集按一定规则计算或判断，通过计算或判断结果预测闪存的使用寿命，具体为：对样本闪存测试数据进行多元线性回归后得到的函数，将所述子集输入函数，由函数计算闪存寿命的预测值；

在所述步骤101之前还包括生成多元线性回归函数，包括以下步骤：

步骤001，将样本闪存测试数据输入多元线性回归函数，函数形式为：

f(x)＝w₁x₁+w₂x₂+…+w_nx_n+b

其中，w_i和b为多元线性回归函数参数；

步骤002，将样本闪存测试数据输入均方误差公式，均方误差公式为:

其中，y_i为样本闪存测试数据对应的实际剩余寿命值；

步骤003，最小二乘法估计参数w_i和b的取值；

步骤004，将步骤003中估计的w_i和b的值带入多元线性回归函数，此多元线性回归函数为闪存寿命预测函数。

2.根据权利要求1所述一种基于特征量的闪存寿命预测方法，其特征在于，所述闪存特征量的运算操作至少包括以下运算中一种或多种：特征量的线性运算、特征量的非线性运算、不同特征量间的线性运算、不同特征量间的非线性运算、计算不同存储页面特征量的最大值、计算不同存储页面特征量的最小值、不同存储页面特征量之间的线性运算、不同存储页面特征量之间的非线性运算、不同存储块特征量之间的线性运算、不同存储块特征量之间的非线性运算、计算不同存储块特征量的最大值和计算不同存储块特征量的最小值。

3.根据权利要求1所述一种基于特征量的闪存寿命预测方法，其特征在于，所述样本闪存测试数据的获取方法包括以下步骤：

步骤301，从闪存集合中随机抽取样本芯片，对样本闪存进行预擦除操作；

步骤302，向样本闪存发送测试数据集合，对样本闪存执行写入数据操作，记录样本闪存的编程时间及当前样本闪存经历的编程/擦除周期数；

步骤303，执行完编程数据操作并保持一定的数据保持时间tr之后，判断所经历的编程/擦除周期数是否满足一定要求，若满足要求，执行步骤304，不满足要求则执行步骤305；其中，tr≥0；

步骤304，对样本闪存执行读数据操作并记录读取操作时间，将读出数据与发送的测试数据进行比较，计算并保存错误比特数；

步骤305，保存完错误比特数后，对样本闪存执行擦除数据操作，并记录擦除操作时间；

步骤306，重复步骤302到步骤305，直到样本闪存到达寿命极限；统计样本闪存的总编程/擦除周期数。