[发明专利]一种基于特征量的闪存寿命预测方法、系统及存储介质有效
申请号: | 201811545443.3 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN109830255B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 刘政林;潘玉茜;张浩明;李四林 | 申请(专利权)人: | 武汉忆数存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C29/56 |
代理公司: | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人: | 廉海涛 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 特征 闪存 寿命 预测 方法 系统 存储 介质 | ||
本发明涉及一种基于特征量的闪存寿命预测方法、系统及存储介质,测量闪存的一种特征量或几种特征量的组合,对所有特征量或组合中部分特征量进行运算,将运算结果或测量结果或运算结果和测量结果的组合按一定规则计算或判断,通过计算或判断结果预测闪存的使用寿命。本发明以多种闪存自身的特征量为基础预测闪存的寿命,与仅以一种特征量为依据的寿命预测方法相比预测寿命值的准确度更高,且应用范围广泛,可通过多种方式实现,具有较高的实用性。
技术领域
本发明涉及闪存寿命预测技术领域,尤其是涉及一种基于特征量的闪存寿命预测方法、系统及存储介质。
背景技术
存储器,是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在电子设备的运算过程中,输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都会保存在存储器里,可以说存储器是现代信息技术发展的核心部件之一。闪存,是一种非易失存储器,通过改变存储单元的阈值电压存储数据。在现代生活中,闪存以其具备生产制造成本低、可存储容量大、存储介质抗震抗磁、读写速度快并且数据非易失,抗震防磁等优势,被广泛应用于存储数据的相关领域。
在闪存需求量逐年增长的同时,其可靠性问题也日趋严重。闪存在使用期间,随着时间的推移,器件隧道氧化层将失去其绝缘性能导致无法擦除或编程存储器单元。当闪存中的大量存储单元失效时,闪存将达到其寿命上限,即无法再正常运作。集成度越高容量越大的闪存器件寿命也越低,可靠性问题也越大。目前闪存存储设备只能在存储单元出现错误后通过纠错码来纠正错误;而所有的纠错码仅能纠正有限比特数的数据错误,闪存中出现的错误数量超过纠错码能够纠正的错误个数时,未能纠正的数据将永久丢失。预测闪存的剩余使用寿命,可以让闪存存储设备使用者在使用设备期间了解闪存的损耗状态,避免因闪存单元失效而造成的数据流失。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的技术问题,提供一种基于特征量的闪存寿命预测方法、系统及存储介质,测量闪存的一种特征量或几种特征量的组合,对所有特征量或组合中部分特征量进行运算,将运算结果或测量结果或运算结果和测量结果的组合按一定规则计算或判断,通过计算或判断结果预测闪存的使用寿命。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:
第一方面,本发明提供一种基于特征量的闪存寿命预测方法,包括以下步骤:
步骤101,对需要进行寿命预测的闪存的特征量进行测量,保存测量所得的闪存特征量;
步骤102,对测量得到的特征量中的一种特征量或几种特征量进行运算操作,保存特征量运算操作结果;
步骤103,将步骤101中测量得到的特征量及步骤102中特征量的运算操作结果构成集合,取集合中的子集按一定规则计算或判断,通过计算或判断结果预测闪存的使用寿命。
进一步的,所述闪存的特征量至少包括闪存的编程时间、读取时间、擦除时间、电流、芯片功耗、阈值电压分布、存储块编号、存储页号、闪存当前经历过的编程/擦除周期数、条件错误页数、条件错误块数、错误比特数和错误率中的一种或多种。
进一步的,所述闪存特征量的运算操作至少包括以下运算中一种或多种:特征量的线性运算、特征量的非线性运算、不同特征量间的线性运算、不同特征量间的非线性运算、计算不同存储页面特征量的最大值、计算不同存储页面特征量的最小值、不同存储页面特征量之间的线性运算、不同存储页面特征量之间的非线性运算、不同存储块特征量之间的线性运算、不同存储块特征量之间的非线性运算、计算不同存储块特征量的最大值和计算不同存储块特征量的最小值。
进一步的,所述的取集合中的子集按一定规则计算或判断,通过计算或判断结果预测闪存的使用寿命,具体为:对样本闪存测试数据进行多元线性回归后得到的函数,将所述子集输入函数,由函数计算闪存寿命的预测值。
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