[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201811546661.9 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109659277B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 明星;陈彩琴;王一伊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;H01L23/544 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S10、提供一基板,所述基板包括显示区域和设置在所述显示区域外侧的非显示区域,所述非显示区域内设置有覆晶薄膜和测试结构;
所述测试结构包括:
位于所述覆晶薄膜远离所述显示区域的一侧的测试点;
位于所述测试点与所述覆晶薄膜之间的测试电路,包括连接所述覆晶薄膜和所述测试点的信号走线,所述信号走线包括相互连接的非金属走线和金属走线,所述信号走线上设置有切割线;
步骤S20、通过所述测试结构对所述基板的显示区域进行测试;
步骤S30、沿着所述切割线将所述测试点除掉,形成显示面板;
其中,所述显示面板的信号走线包括非金属走线;
所述信号走线包括两端的金属走线和中间的非金属走线,所述金属走线包括与所述覆晶薄膜连接的第一金属走线和与所述测试点连接点相连的第二金属走线,所述切割线位于所述非金属走线范围内;
所述基板还包括平坦化层,所述平坦化层中存在凹槽,所述覆晶薄膜和所述测试点设置于所述凹槽中。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述切割线与所述非金属走线相交,所述切割线至所述非金属走线两端的距离均大于或等于100微米。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述切割线与所述第二金属走线相交,所述非金属走线的长度为100微米至150微米。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述基板包括层叠设置的衬底、多晶硅层、缓冲层和金属层;
所述非金属走线位于所述多晶硅层,所述金属走线位于所述金属层,所述缓冲层上设置有过孔,所述非金属走线通过所述过孔与所述金属走线电连接以形成信号走线。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述非金属走线的制备材料包括多晶硅,所述金属走线为栅极走线、源漏极走线和透明金属走线中的其中一者。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述测试点与所述覆晶薄膜一一对应。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,m个相邻的所述覆晶薄膜形成一个覆晶薄膜组,所述测试点与所述覆晶薄膜组一一对应,m为大于或等于1的整数;
所述测试电路包括与所述覆晶薄膜数目相同的晶体管,所述晶体管与所述覆晶薄膜一一对应,所述晶体管与所述第二金属走线电连接;
在所述覆晶薄膜组中,从左往右数序号相同的所述覆晶薄膜所对应的晶体管相互电连接以形成晶体管组,所述测试电路通过所述晶体管组的开关和闭合控制所述显示区域的测试。
8.一种显示面板,其特征在于,包括:显示区域和包围所述显示区域的非显示区域;
所述显示区域包括:
衬底;
设置在所述衬底上的多晶硅层,所述多晶硅层包括非金属走线;
设置在所述多晶硅层上的缓冲层,所述缓冲层内设置有过孔;
设置在所述缓冲层上的平坦化层,所述平坦化层设置有凹槽;
设置在所述缓冲层上的金属层,所述金属层包括金属走线,所述金属走线通过所述过孔与所述非金属走线电连接,所述金属走线位于所述凹槽内;
设置在所述非金属走线范围的切割线;
所述非显示区域包括覆晶薄膜和避免所述金属走线被侵蚀的非金属走线,所述覆晶薄膜与所述非金属走线和所述金属走线的其中一者电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811546661.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板及其制作方法
- 下一篇:多芯片堆叠封装方法及多芯片堆叠封装体
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造