[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201811546661.9 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN109659277B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 明星;陈彩琴;王一伊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;H01L23/544 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明提供了一种显示面板及其制作方法,所述显示面板的制作方法包括:提供一基板,所述基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域内设置有覆晶薄膜和测试结构;所述测试结构包括测试点和测试电路,所述测试电路包括信号走线,所述信号走线包括相互连接的非金属走线和金属走线,所述信号走线上设置有切割线;通过所述测试结构对所述基板的显示区域进行测试;沿着所述切割线将所述测试点除掉;其中,所述显示面板的信号走线包括非金属走线。本发明通过将信号走线设置为金属走线和非金属走线相结合的方式,使得在完成显示面板测试后,能够在不侵蚀金属线路的前提下,将测试点去掉以简化显示面板的结构,降低静电损伤的发生率。
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
显示面板包括显示区域和非显示区域。显示区域具有薄膜晶体管阵列,以及相间隔的数据线与栅极线所组成的相交错阵列;非显示区域设置于显示区域的外侧,具有对阵列基板进行电性测试的阵列测试电路、覆晶薄膜(COF)以及测试点(Test Pad)。
如图1所示,在显示面板的生产过程中,需要在显示面板上设置阵列测试(Array测试)电路以在阵列基板完成后对进行阵列测试。通常的,阵列测试电路位于测试点(TestPad)和覆晶薄膜(COF)之间。对阵列基板进行测试时,测试信号由测试点(Test Pad)写入,经过测试电路传输入显示区域对阵列基板进行测试。在阵列测试结束后,将测试电路中的控制器件关闭。测试信号由邦定在覆晶薄膜(COF)上的柔性电路板(FPC)提供。显示面板中由于测试电路的存在,会增加显示面板结构的复杂程度,而且会提高静电损伤发生率。因此,目前亟需一种显示面板及其制作方法以解决上述问题。
发明内容
本发明提供了一种显示面板及其制作方法,以解决显示面板中由于测试结构被切除后部分金属走线裸露被侵蚀,进而影响显示面板品质的问题。
本发明提出了一种显示面板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S10、提供一基板,所述基板包括显示区域和设置在所述显示区域外侧的非显示区域,所述非显示区域内设置有覆晶薄膜和测试结构;
所述测试结构包括:
位于所述覆晶薄膜远离所述显示区域的一侧的测试点;
位于所述测试点与所述覆晶薄膜之间的测试电路,包括连接所述覆晶薄膜和所述测试点的信号走线,所述信号走线包括相互连接的非金属走线和金属走线,所述信号走线上设置有切割线;
步骤S20、通过所述测试结构对所述基板的显示区域进行测试;
步骤S30、沿着所述切割线将所述测试点除掉,形成显示面板;
其中,所述显示面板的信号走线包括非金属走线。
根据本发明一优选实施例,在步骤S10中,所述信号走线包括两端的金属走线和中间的非金属走线,所述金属走线包括与所述覆晶薄膜连接的第一金属走线和与所述测试点连接点相连的第二金属走线,所述切割线位于所述非金属走线范围内。
根据本发明一优选实施例,所述切割线与所述非金属走线相交,所述切割线至所述非金属走线两端的距离均大于或等于100微米。
根据本发明一优选实施例,所述切割线与所述第二金属走线相交,所述非金属走线的长度为100微米至150微米。
根据本发明一优选实施例,所述基板包括层叠设置的衬底、多晶硅层、缓冲层和金属层;
所述非金属走线位于所述多晶硅层,所述金属走线位于所述金属层,所述缓冲层上设置有过孔,所述非金属走线通过所述过孔与所述金属走线电连接以形成信号走线。
根据本发明一优选实施例,所述基板还包括平坦化层,所述平坦化层中存在凹槽,所述覆晶薄膜和所述测试点设置于所述凹槽中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造