[发明专利]一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法

权利要求书

1.一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：对单晶硅片进行清洗制绒后经扩散形成PN结；将具有PN结的所述硅片背面抛光，去除磷硅玻璃及边缘刻蚀；之后先在硅片的背面沉积Al₂O₃钝化层，再在Al₂O₃钝化层上沉积SiNx钝化膜，所述SiNx钝化膜为多层结构；在所述硅片的正面沉积SiNx减反膜后在硅片的背面激光局部开口，并丝网印刷、烧结；多层结构SiNx钝化膜中靠近所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率高于远离所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率。

2.根据权利要求1所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，所述Al₂O₃钝化层的沉积温度为200~300℃。

3.根据权利要求1所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，所述Al₂O₃钝化层的沉积厚度为10~20nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，所述SiNx钝化膜的沉积温度为400~600℃。

5.根据权利要求1所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，多层结构的所述SiNx钝化膜的总厚度为75~80nm，多层结构的所述SiNx钝化膜的总折射率为2.10~2.13。

6.根据权利要求1所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，所述SiNx钝化膜大于等于三层。

7.根据权利要求6所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，所述SiNx钝化膜为三层结构。

8.根据权利要求7所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，第一层所述SiNx钝化膜厚为20~50nm，折射率n1为2.2~2.3，气体流量SiH₄为2000~3000sccm，NH₃为10500sccm~11500sccm，压力为1800mtorr，射频功率为5kW~9kW。

9.根据权利要求8所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，第二层所述SiNx钝化膜厚为20~50nm，折射率n2为2.1~2.2，气体流量SiH₄为1500~2500sccm，NH₃为11500sccm~12500sccm，压力为1800mtorr，射频功率为5kW~9kW。

10.根据权利要求9所述的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，其特征在于，第三层所述SiNx钝化膜厚为20~50nm，折射率n3为2.0~2.1，气体流量SiH₄为600~1600sccm，NH₃为12000sccm~13000sccm，压力为1800mtorr，射频功率为5kW~9kW。