[发明专利]一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法

说明书

本发明公开了一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：对单晶硅片进行清洗制绒后经扩散形成PN结；将具有PN结的所述硅片背面抛光，去除磷硅玻璃及边缘刻蚀；之后先在硅片的背面沉积Al₂O₃钝化层，再在Al₂O₃钝化层上沉积SiNx钝化膜，所述SiNx钝化膜为多层结构；在所述硅片的正面沉积SiNx减反膜后在硅片的背面激光局部开口，并丝网印刷、烧结；多层结构SiNx钝化膜中靠近所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率高于远离所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率。本发明的一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，使得最终的产品能够有效地提升了电池背面对光的吸收，对双面电池背面短路电流有明显的增益，提高了电池片背面的发电效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体涉及一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法。

背景技术

随着光伏技术的不断发展，晶硅太阳能电池作为以一种将太阳能转化为电能的清洁能源产品得到了迅猛发展。

而随着光伏产业的竞争越来越激烈，降低成本和提高效率变得越来越重要。局部背接触太阳电池PERC技术以其良好的钝化结构，可大大提高电池的开路电压和短路电流，从而提高电池效率。随着技术的发展，PERC已经逐渐取代传统的电池结构，成为主流生产技术。而双面PERC在常规PERC电池片工艺的基础上无需添加任何额外步骤，只需将背面局部铝栅线结构替代全部覆盖的铝浆，就可以实现双面发电的功能，进一步提升了PERC电池片的竞争力。

目前行业内使用的PERC背面钝化膜层也有为Al2O3/SiNx叠层结构，但是 SiNx钝化膜多为单层膜或双层膜，且位于外层的SiNx钝化膜的折射率大于位于内层的SiNx钝化膜的折射率。这样的技术方案带来的缺点是：内层SiNx折射率较低，对硅基体的钝化不足，单层膜结构使背表面对光的反射率较高，不利于短路电流的提升。

发明内容

有鉴于此，为了克服现有技术的缺陷，本发明的目的是提供一种基于双面 PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，通过该制备方法得到的硅片能够有效地提升了电池背面对光的吸收，对双面电池背面短路电流有明显的增益，提高了电池片背面的发电效率。

为了达到上述目的，本发明采用以下的技术方案：

一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：对单晶硅片进行清洗制绒后经扩散形成PN结；将具有PN结的所述硅片背面抛光，去除磷硅玻璃及边缘刻蚀；之后先在硅片的背面沉积 Al₂O₃钝化层，再在Al₂O₃钝化层上沉积SiNx钝化膜，所述SiNx钝化膜为多层结构；在所述硅片的正面沉积SiNx减反膜后在硅片的背面激光局部开口，并丝网印刷、烧结；多层结构SiNx钝化膜中靠近所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率高于远离所述Al₂O₃钝化层的SiNx钝化膜的折射率。通过在硅片背面的Al₂O₃钝化层上设置多层SiNx钝化膜，能够增加硅片的背面对光的吸收，有效提升了电池背面的短路电流，提高了电池片背面的转换效率。

优选地，所述Al₂O₃钝化层的沉积温度为200～300℃。

优选地，所述Al₂O₃钝化层的沉积厚度为10～20nm。

优选地，所述SiNx钝化膜的沉积温度为400～600℃。