[发明专利]一种提高漏极电压稳定性的电路、存储芯片及存储器在审
| 申请号： | 201811547433.3 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN109584936A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 马亮;李建球;安友伟;余作欢;杨小龙;刘大海;张登军;张亦锋;李迪;逯钊琦 | 申请（专利权）人： | 珠海博雅科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/28 | 分类号： | G11C16/28 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 陈慧华 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 差分比较器 基准电压 电路 存储器 存储芯片 读取操作 漏极电压 输出电压 基准电压生成电路 带隙基准电压源 电流转换成电压 电流转电压 判断结果 外界因素 工艺角 输入端 比对 漏极 转换 保证 | ||
1.一种提高漏极电压稳定性的电路，其特征在于：包括电流使能端、第一预充电单元、作为对比电压端的输出MOS管、第二预充电单元、第一放大器和基准电压端，还包括用于输出电压的差分比较器，所述电流使能端和所述第一预充电单元共漏极，所述第一预充电单元的源极连接所述输出MOS管的漏极，所述输出MOS管的源极作为对比电压端，所述第二预充电单元的漏极和所述第一放大器的输出端连接到所述输出MOS管的栅极，所述第一放大器的反向输入端连接到所述输出MOS管的源极，同向输入端连接到所述基准电压端；所述基准电压端和对比电压端作为所述差分比较器的输入。
2.根据权利要求1所述的一种提高漏极电压稳定性的电路，其特征在于：所述差分比较器为双端输入单端输出电路，所述差分比较器由四个MOS管组成，分别为第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管两者的源极均连接Vcc，两者的栅极相连接，所述第三MOS管与第一MOS管共漏极，所述第四MOS管与所述第二MOS管共漏极，所述第三MOS管和第四MOS管两者的源极连接到所述第五MOS管的漏极，所述第五MOS管的源极连接数字地，所述第一MOS管的栅极连接到第一MOS管的漏极，所述第二MOS管的漏极与所述输出MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的栅极连接所述基准电压端，所述第四MOS管的栅极连接所述对比电压端。
3.根据权利要求1所述的一种提高漏极电压稳定性的电路，其特征在于：还包括基准电压生成电路，所述基准电压生成电路包括第二放大器、调整电压MOS管和电阻组，所述第二放大器的同相输入端和反向输入端分别连接VBG和VFB，所述第二放大器的输出端连接所述调整电压MOS管的栅极，所述调整电压MOS管的漏极连接到所述电阻组，所述电阻组包括三个依次串联的电阻，从所述调整电压MOS管的漏极开始分别为第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻和第二电阻之间的触点连接VFB，第二电阻和第三电阻之间的触点为所述基准电压端。
4.根据权利要求3所述的一种提高漏极电压稳定性的电路，其特征在于：所述调整电压MOS管的源极连接Vcc电压。
5.根据权利要求1所述的一种提高漏极电压稳定性的电路，其特征在于：所述第一预充电单元包括第一预充电MOS管和预充电电阻，所述第一预充电MOS管和预充电电阻并联；所述第二预充电单元为第二预充电MOS管。
6.一种存储芯片，其特征在于：包括有如权利要求1－5任一所述一种提高漏极电压稳定性的电路。
7.一种存储器，其特征在于：包括有如权利要求1－5任一所述一种提高漏极电压稳定性的电路。
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