[发明专利]一种提高漏极电压稳定性的电路、存储芯片及存储器

说明书

本发明公开了一种提高漏极电压稳定性的电路、存储芯片及存储器，包括三个模块，一个是电流转电压的电路，一个是差分比较器的电路，还有一个是基准电压生成电路，本发明为了确保读取操作中的漏极电流转换成电压的时候不受外界因素影响，设置了一级差分比较器以及用于做比对的基准电压，基准电压是带隙基准电压源经过调整后产生，将原先的读取操作转换而来的电压和基准电压作为两个输入端输入到一级差分比较器中，从而得到判断结果，保证了输出电压值不会发生较大的偏差，因此输出电压值不随Vcc电压、温度、工艺角的变化而变化。

技术领域

本发明涉及一种存储单元的电流转电压电路，特别是一种提高漏极电压稳定性的电路、存储芯片及存储器。

背景技术

在存储器电路中，存储单个字节的最小单元为cell，在执行读取操作时需要将作为控制的漏极电流转换成输入到cell的电压，从而控制cell中MOS管的开关实现读取操作，上述读取操作的过程需要保证cell的漏极电压稳定，传统的电流转电压电路利用cascode(共源共栅结构)电路，其电路参照图4所示，不能保证其电路在不同进程(process)波动、温度、电源电压波动情况下的稳定，即其电路在工作过程中存在不可靠的情况。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种提高漏极电压稳定性的电路，保证输出的电压值不随Vcc电压、温度、工艺角的变化而变化，从而提高电路可靠性。

本发明解决其问题所采用的技术方案是：

一种提高漏极电压稳定性的电路，包括电流使能端、第一预充电单元、作为对比电压端的输出MOS管、第二预充电单元、第一放大器和基准电压端，还包括用于输出电压的差分比较器，所述电流使能端和所述第一预充电单元共漏极，所述第一预充电单元的源极连接所述输出MOS管的漏极，所述输出MOS管的源极作为对比电压端，所述第二预充电单元的漏极和所述第一放大器的输出端连接到所述输出MOS管的栅极，所述第一放大器的反向输入端连接到所述输出MOS管的源极，同向输入端连接到所述基准电压端；所述基准电压端和对比电压端作为所述差分比较器的输入。

进一步，所述差分比较器为双端输入单端输出电路，所述差分比较器由四个MOS管组成，分别为第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管两者的源极均连接Vcc，两者的栅极相连接，所述第三MOS管与第一MOS管共漏极，所述第四MOS管与所述第二MOS管共漏极，所述第三MOS管和第四MOS管两者的源极连接到所述第五MOS管的漏极，所述第五MOS管的源极连接数字地，所述第一MOS管的栅极连接到第一MOS管的漏极，所述第二MOS管的漏极与所述输出MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的栅极连接所述基准电压端，所述第四MOS管的栅极连接所述对比电压端。

进一步，还包括基准电压生成电路，所述基准电压生成电路包括第二放大器、调整电压MOS管和电阻组，所述第二放大器的同相输入端和反向输入端分别连接VBG和VFB，所述第二放大器的输出端连接所述调整电压MOS管的栅极，所述调整电压MOS管的漏极连接到所述电阻组，所述电阻组包括三个依次串联的电阻，从所述调整电压MOS管的漏极开始分别为第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻和第二电阻之间的触点连接VFB，第二电阻和第三电阻之间的触点为所述基准电压端。

进一步，所述调整电压MOS管的源极连接Vcc电压。

进一步，所述第一预充电单元包括第一预充电MOS管和预充电电阻，所述第一预充电MOS管和预充电电阻并联；所述第二预充电单元为第二预充电MOS管。

一种存储芯片，包括有上述任一一种提高漏极电压稳定性的电路。

一种存储器，包括上述任一一种提高漏极电压稳定性的电路。