[发明专利]光伏电池芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种光伏电池芯片，包括基体、半导体层、位于所述基体和所述半导体层之间的第一电极层，和透光的第二电极层，所述第一电极层和第二电极层位于所述半导体层的相对两侧，其特征在于，所述第二电极层远离所述半导体层的表面附有至少一增透膜组合层；所述增透膜组合层包括形成在所述第二电极层表面的第一增透膜层和形成在所述第一增透膜层表面的第二增透膜层，所述第一增透膜层的折射率小于所述第二增透膜层的折射率，且所述第一增透膜层的折射率小于所述第二电极层的折射率。

2.根据权利要求1所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述光伏电池芯片具有多个贯通所述第二电极层和所述半导体层的P3刻划槽，每个P3刻划槽的一端由所述第一电极层封闭，每个P3刻划槽由所述第一增透膜层填充。

3.根据权利要求1所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述光伏电池芯片具有多个贯通所述半导体层的P2刻划槽，每个P2刻划槽与所述P3刻划槽错开，且一端由所述第一电极层封闭，每个P2刻划槽由所述第二电极层填充。

4.根据权利要求1所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述光伏电池芯片具有多个贯通所述第一电极层的P1刻划槽，每个P1刻划槽的一端由所述半导体层封闭，另一端由所述基体封闭。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述第一增透膜层材质选自SiO₂和MgF₂中的一种或者两种。

6.根据权利要求5所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述第一增透膜层的厚度范围为300-450nm。

7.根据权利要求1-4任一项所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述第二增透膜层的材质选自Si₃N₄、HfO₂、TiO₂、Cr₂O₃、Nb₂O₅中的一种或几种。

8.根据权利要求7所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述第二增透膜层的厚度范围为30-150nm。

9.根据权利要求1-4任一项所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述第二电极层材质选自ZnO、ITO、AZO、IZO、SnO₂中的一种或几种。

10.根据权利要求9所述的光伏电池芯片，其特征在于，所述第二电极层的厚度范围为

11.一种光伏电池芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在半导体层的表面形成透光的第二电极层；

在第二电极层的表面形成至少一层增透膜组合层，所述增透膜组合层包括形成在所述第二电极层表面的第一增透膜层和形成在所述第一增透膜层表面的第二增透膜层，所述第一增透膜层的折射率小于所述第二增透膜层的折射率，且所述第一增透膜层的折射率小于所述第二电极层的折射率。

12.根据权利要求11所述的光伏电池芯片的制作方法，其特征在于，还包括：

在基体和所述半导体之间形成第一电极层；所述第一电极层和所述第二电极层位于所述半导体层的相对两侧；在第一电极层形成多条贯通第一电极层相对两侧的P1刻划槽。

13.根据权利要求12所述的光伏电池芯片的制作方法，其特征在于，包括：在第一电极层表面形成所述半导体层，所述半导体层封闭所述P1刻划槽远离所述基体的一端；和形成贯通所述半导体层的多条P2刻划槽；所述第二电极封闭所述P2刻划槽的远离所述基体的一端。