[发明专利]光伏电池芯片及其制作方法

说明书

本申请发明公开一种光伏电池芯片及其制作方法，所述光伏电池芯片包括基体、半导体层、第一电极层，和透光的第二电极层，所述第一电极层和第二电极层位于所述半导体层的相对两侧，所述第二电极层远离所述半导体层的表面附有至少一增透膜组合层；所述增透膜组合层包括形成在所述第二电极层表面的第一增透膜层和形成在所述第一增透膜层表面的第二增透膜层，所述第一增透膜层的折射率小于所述第二增透膜层的折射率，且所述第一增透膜层的折射率小于所述第二电极层的折射率。本发明提供的光伏电池芯片含有的增透膜组合层能很好的覆盖保护住第二电极层的表面，有效提高光的增透效果，极大的提高光伏电池芯片的光电转换效率和使用寿命。

技术领域

本发明申请涉及光伏太阳能技术领域，具体涉及一种光伏电池芯片及其制作方法。

背景技术

目前现有的太阳能电池主要包括硅基太阳能电池和薄膜太阳能电池。太阳能电池是指接收太阳光的辐射，吸收太阳能并将太阳能直接转换为电能的装置，包括多个由P型半导体材料和N型半导体材料形成的PN结。在光的照射下，在PN结界面处将会出现电子和空穴的浓度差，N型半导体的空穴往P区移动，P区中的电子往N区移动，从而形成从N区到P区的电流，然后在PN结中形成电势差，如果有外电路连接负载，就形成了由P到N极的电流，这就是太阳能电池的基本工作原理。

现有光伏电池芯片中，ZnO膜层直接裸露于空气中，容易与空气中的水氧基发生反应，从而使得光伏电池芯片的特性发生改变，严重影响电池芯片的使用寿命。另外，现有光伏电池生产加工有刻划工序，该刻划工序将会直接导致部分被刻划的膜层裸露在空气中，从而容易导致这些膜层发生氧化，影响电池的使用寿命；另外现有结构的光伏电池芯片的增透功能较差，光电转换效率较低。

发明内容

本申请发明提供一种光伏电池芯片及其制作方法，以解决现有技术的光伏电池芯片部分膜层直接裸露在空气中导致电池芯片的特性发生改变，而严重影响光伏电池芯片使用寿命以及光电转换效率低下的问题。

本申请发明提供一种光伏电池芯片，包括基体、半导体层、位于所述基体和所述半导体层之间的第一电极层，和透光的第二电极层，所述第一电极层和第二电极层位于所述半导体层的相对两侧，所述第二电极层远离所述半导体层的表面附有至少一增透膜组合层；所述增透膜组合层包括形成在所述第二电极层表面的第一增透膜层和形成在所述第一增透膜层表面的第二增透膜层，所述第一增透膜层的折射率小于所述第二增透膜层的折射率，且所述第一增透膜层的折射率小于所述第二电极层的折射率。

可选的，所述光伏电池芯片具有多个贯通所述第二电极层和所述半导体层的P3刻划槽，每个P3刻划槽的一端由所述第一电极层封闭，每个P3刻划槽由所述第一增透膜层填充。

可选的，所述光伏电池芯片具有多个贯通所述半导体层的P2刻划槽，每个P2刻划槽与所述P3刻划槽错开，且一端由所述第一电极层封闭，每个P2刻划槽由所述第二电极层填充。

可选的，所述光伏电池芯片具有多个贯通所述第一电极层的P1刻划槽，每个P1刻划槽的一端由所述半导体层封闭，另一端由所述基体封闭。

可选的，所述第一增透膜层材质选自SiO₂和MgF₂中的一种或者两种。

可选的，所述第一增透膜层的厚度范围为300-450nm。

可选的，所述第二增透膜层的材质选自Si₃N₄、HfO₂、TiO₂、Cr₂O₃、Nb₂O₅中的一种或几种。

可选的，所述第二增透膜层的厚度范围为30-150nm。

可选的，所述第二电极层材质选自ZnO、ITO、AZO、IZO、SnO₂中的一种或几种。