[发明专利]一种H、O原子区分方法

权利要求书

1.一种H、O原子区分方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一探测器和第二探测器；

统计所述第一探测器的第一粒子计数C₁及所述第二探测器的第二粒子计数C₂；

根据所述第一粒子计数C₁及所述第二粒子计数C₂区分预定能量范围内的H、O原子；

其中，C₁：所述第一探测器在预定能量范围内的粒子计数；

C₂：所述第二探测器在预定能量范围内的粒子计数；

按照如下公式统计所述第一探测器的第一粒子计数C₁及所述第二探测器的第二粒子计数C₂：

C₁＝C_1H+C_1O，C₂＝C_2H+C_2O，

其中，

C_1H：所述第一探测器探测到的所述预定能量范围内的H原子计数；

C_1O：所述第一探测器探测到的所述预定能量范围内的O原子计数；

C_2H：所述第二探测器探测到的所述预定能量范围内的H原子计数；

C_2O：所述第二探测器探测到的所述预定能量范围内的O原子计数；其中，所述第一探测器和所述第二探测器具有不同的窗厚度，并且所述第二探测器探测到的所述预定能量范围内的O原子计数C_2O≈0，并且C_2H＝αC_1H，由此计算所述第一探测器探测到的所述预定能量范围内的H、O原子计数C_1H、C_IO分别为：

其中，α的取值介于0.98～1.02。

2.根据权利要求1所述的H、O原子区分方法，其特征在于，提供所述第一探测器和所述第二探测器的步骤包括：

对所述第一探测器和第二探测器的死层进行减薄；

在所述第一探测器和所述第二探测器的灵敏区的入射面掺杂多晶硅层；

在所述多晶硅层的表面附镀铝层。

3.根据权利要求2所述的H、O原子区分方法，其特征在于，对所述死层进行减薄的步骤减去的所述死层的厚度包括1μm，所述多晶硅层的厚度介于所述铝层的厚度介于

4.根据权利要求3所述的H、O原子区分方法，其特征在于，所述第一探测器和所述第二探测器包括硅半导体探测器，所述第一探测器的多晶硅层厚度包括铝层厚度包括所述第二探测器的多晶硅层厚度包括铝层厚度包括

5.根据权利要求1所述的H、O原子区分方法，其特征在于，所述预定能量范围介于0～30-40keV。

6.根据权利要求5所述的H、O原子区分方法，其特征在于，所述方法在区分所述预定能量范围内的H、O原子时的错误率

7.根据权利要求6所述的H、O原子区分方法，其特征在于，当O/H为0.2时，所述错误率≤25％，当O/H为0.1时，所述错误率＜5％。