[发明专利]单片膜的制造方法

权利要求书

1.一种单片膜的制造方法，

其具有将具有n层粘合剂层的多层膜切断而由所述多层膜得到单片膜的切断工序，其中，n为1以上的整数，

所述切断工序包括：使压切刃从所述多层膜的第1表面朝向所述多层膜的第2表面而进入所述多层膜内，将所述多层膜切断的压切工序，

将n层的所述粘合剂层中的任一所述粘合剂层作为基准粘合剂层时，所述压切刃在所述多层膜的第1表面的速度V满足以下的关系式(1)，

t/V＜1/ω₁ (1)

所述关系式(1)中，t表示多层膜的厚度，ω₁表示基于动态粘弹性测定的测定值算出的储能模量显示3.0×10⁵Pa时的频率，所述动态粘弹性测定的测定值为所述基准粘合剂层的温度20℃下的基于频率扫描的动态粘弹性测定的测定值，

其中，所述速度V的单位为μm/秒，所述厚度的单位为μm，所述频率的单位为1/秒。

2.根据权利要求1所述的单片膜的制造方法，其中，

将所述粘合剂层中的温度20℃、角频率1,000弧度/秒时的储能模量最小的粘合剂层作为所述基准粘合剂层。

3.根据权利要求1所述的单片膜的制造方法，其中，

所述多层膜具有最表面层的分离膜、和通过所述分离膜的剥离而在最外表面露出的最表面层下的粘合剂层，

将所述最表面层下的粘合剂层作为所述基准粘合剂层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的单片膜的制造方法，其中，

所述多层膜具有偏振片。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的单片膜的制造方法，其中，

所述基准粘合剂层的厚度为1μm～20μm。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的单片膜的制造方法，其中，

所述压切刃为汤姆逊刃。

7.一种单片膜的制造装置，

其具有将具有n层粘合剂层的多层膜切断而由所述多层膜得到单片膜的切断部，其中，n为1以上的整数，

所述切断部具备：能够从所述多层膜的第1表面朝向所述多层膜的第2表面而进入所述多层膜内地配置的压切刃、和控制所述压切刃的动作的控制部，

将n层的所述粘合剂层中的任一粘合剂层作为基准粘合剂层时，所述控制部按照满足以下的关系式(1)的方式控制所述压切刃在所述多层膜的第1表面的速度V，

t/V＜1/ω₁(1)

所述关系式(1)中，t表示多层膜的厚度，ω₁表示基于动态粘弹性测定的测定值算出的储能模量显示3.0×10⁵Pa时的频率，所述动态粘弹性测定的测定值为所述基准粘合剂层的温度20℃下的基于频率扫描的动态粘弹性测定的测定值，

其中，所述速度V的单位为μm/秒，所述厚度的单位为μm，所述频率的单位为1/秒。

8.根据权利要求7所述的单片膜的制造装置，其中，

将所述粘合剂层中的温度20℃、角频率1,000弧度/秒时的储能模量最小的粘合剂层作为所述基准粘合剂层。

9.根据权利要求7所述的单片膜的制造装置，其中，

所述多层膜具有最表面层的分离膜、和通过所述分离膜的剥离而在最外表面露出的最表面层下的粘合剂层，

将所述最表面层下的粘合剂层作为所述基准粘合剂层。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的单片膜的制造装置，其中，

所述多层膜具有偏振片。

11.根据权利要求7～9中任一项所述的单片膜的制造装置，其中，

所述基准粘合剂层的厚度为1μm～20μm。

12.根据权利要求7～9中任一项所述的单片膜的制造装置，其中，

所述压切刃为汤姆逊刃。