[发明专利]具有高附着力的超疏水涂层及其制备方法以及电子产品

权利要求书

1.一种具有高附着力的超疏水涂层的制备方法，其特征在于，其包括：

利用低表面能官能团修饰剂对基材表面的纳米二氧化硅涂层进行化学修饰，其中，所述纳米二氧化硅涂层通过等离子体增强化学气相沉积法制备得到。

2.根据权利要求1所述的具有高附着力的超疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅涂层通过以下步骤制备得到：将所述基材置于等离子体增强化学气相沉积腔室中，以SiH₄和N₂O为反应气源进行沉积；

优选地，所述SiH₄和所述N₂O的体积比为1：0.1-5，更优选1：0.1-2；

优选地，所述基材选自石英玻璃、硅片、云母片、陶瓷和聚乙烯中的一种。

3.根据权利要求1所述的具有高附着力的超疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积法采用的沉积温度为30-300℃，优选100-200℃，更优选120-180℃；射频电源功率为20-200W，优选60-80W，更优选65～75W；工作压强为10-150Pa，优选80-100Pa，更优选85-95Pa；沉积时间为1-10min，优选5-10min，更优选6-9min。

4.根据权利要求1所述的具有高附着力的超疏水涂层的制备方法，其特征在于，对所述纳米二氧化硅涂层进行化学修饰包括：用所述低表面能官能团修饰剂的有机溶液与所述纳米二氧化硅涂层接触反应；

优选地，将所述纳米二氧化硅涂层浸泡于所述低表面能官能团修饰剂的有机溶液中。

5.根据权利要求4所述的具有高附着力的超疏水涂层的制备方法，其特征在于，接触反应的温度为20-200℃，更优选50-120℃，反应时间为6-48小时，优选10～36小时。

6.根据权利要求4所述的具有高附着力的超疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述有机溶液的有机溶剂包括甲醇、乙醇、正戊烷、正己烷、苯和甲苯中的一种或多种组合；

优选地，所述低表面能官能团修饰剂与所述有机溶剂的体积比为1：1-100。

7.根据权利要求1～6任一项所述的具有高附着力的超疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述低表面能官能团修饰剂为硅烷偶联剂。

8.根据权利要求7所述的具有高附着力的超疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述低表面能官能团修饰剂选自γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-(β一氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(β一氨乙基)-γ-氨丙基三乙氧基硅烷和N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的一种或多种组合。

9.一种具有高附着力的超疏水涂层，其特征在于，其由权利要求1～8任意一项所述的具有高附着力的超疏水涂层的制备方法制备得到。

10.一种电子产品，其特征在于，所述电子产品的表面附着有如权利要求9所述的具有高附着力的超疏水涂层。