[发明专利]半导体结构及制备方法、半导体连接孔结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供待处理晶圆结构，所述待处理晶圆结构包括器件区及晶边区；

于所述待处理晶圆结构上形成保护光阻层，所述保护光阻层对应显露所述器件区且所述保护光阻层至少对应覆盖所述晶边区；

于形成有所述保护光阻层的所述待处理晶圆结构上形成工艺光阻层，所述工艺光阻层至少对应覆盖所述器件区，且所述工艺光阻层与所述保护光阻层反性；以及

图形化所述工艺光阻层形成图形化掩膜层，以基于所述图形化掩膜层对所述待处理晶圆结构进行处理。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述待处理晶圆结构包括中间结构层，其中，所述中间结构层覆盖所述器件区及所述晶边区，且所述保护光阻层及所述工艺光阻层均形成于所述中间结构层上。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述保护光阻层的步骤包括：于所述待处理晶圆结构上形成一层保护光阻材料层，并对所述保护光阻材料层进行曝光显影，以形成所述保护光阻层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述工艺光阻层对应覆盖所述器件区并延伸覆盖所述保护光阻层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，覆盖于所述保护光阻层上的所述工艺光阻层的厚度介于0.01μm-0.03μm之间。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述图形化掩膜层上形成有对应于所述器件区的第一图案及对应于所述晶边区的第二图案。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，基于所述图形化掩膜层对所述待处理晶圆结构进行处理的工艺包括刻蚀及离子注入中的至少一种；所述待处理晶圆结构还包括隔离区，其中，所述隔离区形成于所述晶边区与所述器件区之间，所述保护光阻层对应覆盖所述晶边区并延伸至所述隔离区上。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述保护光阻层的形状包括环形；所述保护光阻层包括负光阻，所述工艺光阻层包括正光阻，或者，所述保护光阻层包括正光阻，所述工艺光阻层包括负光阻。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述保护光阻层的外缘与所述待处理晶圆结构的外缘重合，所述保护光阻层的宽度小于10mm；所述保护光阻层的厚度介于0.01μm-10μm之间。

10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

待处理晶圆结构，所述待处理晶圆结构包括器件区及晶边区；

保护光阻层，位于所述待处理晶圆结构上，所述保护光阻层对应显露出所述器件区且所述保护光阻层至少对应覆盖所述晶边区；以及

图形化掩膜层，位于所述待处理晶圆结构上，所述图形化掩膜层至少对应覆盖所述器件区，用于基于所述图形化掩膜层对所述待处理结构进行处理，其中，所述图形化掩膜层的材料包括与所述保护光阻层的光阻材料反性的光阻材料。

11.一种半导体连接孔结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供待处理晶圆结构，所述待处理晶圆结构包括器件区及晶边区；

于所述待处理晶圆结构上形成保护光阻层，所述保护光阻层对应显露出所述器件区且所述保护光阻层至少对应覆盖所述晶边区；

于形成有所述保护光阻层的所述待处理晶圆结构上形成工艺光阻层，所述工艺光阻层至少对应覆盖所述器件区，且所述工艺光阻层与所述保护光阻层反性；

图形化所述工艺光阻层形成图形化掩膜层，其中，所述图形化掩膜层对应于所述器件区的位置形成有连接孔开口；以及

基于所述图形化掩膜层对所述待处理晶圆结构进行刻蚀，以于所述待处理晶圆结构中形成与所述连接孔开口对应的连接孔。

12.根据权利要求11中任意一项所述的半导体连接孔结构的制备方法，其特征在于，所述连接孔包括第一连接孔、第二连接孔及第三连接孔，所述器件区包括晶体管结构，所述晶体管结构包括栅区、源区及漏区，其中，所述第一连接孔形成于所述栅区上，所述第二连接孔形成于所述源区上，所述第三连接孔形成于所述漏区上。