[发明专利]半导体结构及制备方法、半导体连接孔结构的制备方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及制备方法、半导体连接孔结构的制备方法，半导体结构制备包括：提供待处理晶圆结构，包括器件区及晶边区；于待处理晶圆结构上形成保护光阻层，对应显露器件区至少对应覆盖晶边区；形成工艺光阻层，至少对应覆盖器件区，工艺光阻层与保护光阻层反性；图形化工艺光阻层形成图形化掩膜层，对待处理晶圆结构进行处理。本发明在待处理晶圆结构的晶边区域对应形成一光阻材料的保护层，使得该材料层覆盖的区域在洗边工艺以及其他半导体制程工艺中得到保护，可以是在刻蚀工艺中，在器件区域形成器件结构，晶边区域可以不形成刻蚀图形结构，从而该部分区域不被破坏，减少在后续的工艺过程中的该对应区域的剥离等缺陷的产生。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构及制备方法、半导体连接孔结构的制备方法。

背景技术

目前，晶圆在生产制造过程中，在晶边(如晶圆边界)的位置，往往会因洗边等原因对晶圆边界造成破坏，在后续的半导体制程工艺(process)过程中则会导致剥离缺陷(peeling defect)大量出现，从而影响后续半导体制程工艺(process)以及导致产品良率较低(low yield)等，此外，对于一些不进行洗边的工艺，一般会在晶边的位置瀑光形成图形，这部分图形无用，会成为潜在的缺陷来源，从而导致晶圆存在缺陷，降低产品良率。

因此，如何提供一种半导体结构及制备方法、半导体连接孔结构的制备方法，用于解决现有技术中的上述问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体结构及制备方法、半导体连接孔结构的制备方法，用于解决现有技术中在进行半导体工艺过程中导致晶边区域造成破坏，从而导致晶圆出现缺陷，影响后续工艺及良率等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括步骤：

提供待处理晶圆结构，所述待处理晶圆结构包括器件区及晶边区；

于所述待处理晶圆结构上形成保护光阻层，所述保护光阻层对应显露所述器件区且所述保护光阻层至少对应覆盖所述晶边区；

于形成有所述保护光阻层的所述待处理晶圆结构上形成工艺光阻层，所述工艺光阻层至少对应覆盖所述器件区，且所述工艺光阻层与所述保护光阻层反性；以及

图形化所述工艺光阻层形成图形化掩膜层，以基于所述图形化掩膜层对所述待处理晶圆结构进行处理。

作为本发明的一种可选方案，所述待处理晶圆结构包括中间结构层，其中，所述中间结构层覆盖所述器件区及所述晶边区，且所述保护光阻层及所述工艺光阻层均形成于所述中间结构层上。

作为本发明的一种可选方案，形成所述保护光阻层的步骤包括：于所述待处理晶圆结构上形成一层保护光阻材料层，对所述保护光阻材料层进行曝光显影，以形成所述保护光阻层。

作为本发明的一种可选方案，所述工艺光阻层对应覆盖所述器件区并延伸覆盖所述保护光阻层。

作为本发明的一种可选方案，覆盖于所述保护光阻层上的所述工艺光阻层的厚度介于0.01μm-0.03μm之间。

作为本发明的一种可选方案，所述图形化掩膜层上形成有对应于所述器件区的第一图案及对应于所述晶边区的第二图案。

作为本发明的一种可选方案，基于所述图形化掩膜层对所述待处理晶圆结构进行处理的工艺包括刻蚀及离子注入中的至少一种；所述待处理晶圆结构还包括隔离区，其中，所述隔离区形成于所述晶边区与所述器件区之间，所述保护光阻层对应覆盖所述晶边区并延伸至所述隔离区上。

作为本发明的一种可选方案，所述保护光阻层的形状包括环形；所述保护光阻层包括负光阻，所述工艺光阻层包括正光阻，或者，所述保护光阻层包括正光阻，所述工艺光阻层包括负光阻。