[发明专利]非易失性存储器及存储系统

权利要求书

1.一种非易失性存储器，具备：存储单元阵列，包含第1存储区域及第2存储区域；

输入输出电路，构成为可与存储器控制器通信；及

控制电路；且

所述控制电路构成为，

从所述存储器控制器收到第1指令时，执行与所述输入输出电路相关的第1训练动作，

从所述存储器控制器收到第2指令时,将所述第1训练动作的第1结果存储到所述第1存储区域。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述控制电路构成为，在存储所述第1结果后断开电源然后再接通时，对所述输入输出电路设定存储在所述第1存储区域的所述第1结果。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述控制电路构成为，在对所述输入输出电路设定所述第1结果后，

从所述存储器控制器收到第3指令时，基于所述第1结果执行与所述输入输出电路相关的第2训练动作，

将所述输入输出电路的设定从所述第1结果变更为所述第2训练动作的第2结果。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中所述控制电路构成为，执行所述第2训练动作后，

从所述存储器控制器收到所述第2指令时，将所述第1结果以所述第2结果覆盖。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述第1训练动作包含对向所述输入输出电路输入或从所述输入输出电路输出的信号进行相位或时间偏差补偿。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述控制电路从所述存储器控制器收到包含写入数据的第4指令时，将所述写入数据存储到所述第2存储区域，

并禁止根据所述第4指令向所述第1存储区域的所述写入数据。

7.一种存储系统，具备存储器控制器及非易失性存储器，

所述非易失性存储器包含：存储单元阵列，包含第1存储区域及第2存储区域；输入输出电路，可与所述存储器控制器通信；及控制电路；且

所述控制电路构成为，

从所述存储器控制器收到第1指令，执行与所述输入输出电路相关的第1训练动作，

从所述存储器控制器收到第2指令时，将所述第1训练动作的第1结果存储到所述第1存储区域。

8.根据权利要求7所述的存储系统，其中所述存储器控制器构成为，

向第1状态的所述非易失性存储器发布所述第1指令而执行所述第1训练动作后，发布所述第2指令将所述第1状态下的所述第1结果存储到所述第1存储区域，

向第2状态的所述非易失性存储器发布所述第1指令而执行所述第1训练动作后，发布所述第2指令将所述第2状态下的第3结果存储到所述第1存储区域。

9.根据权利要求8所述的存储系统，其中所述非易失性存储器还具备温度传感器，

所述存储器控制器在所述温度传感器的温度信息满足第1条件，发布第5指令使所述输入输出电路的设定从所述第1结果变更为所述第3结果。

10.根据权利要求8所述的存储系统，其中所述非易失性存储器还具备温度传感器，

所述控制电路在所述温度传感器的温度信息满足第1条件时，使所述输入输出电路的设定从所述第1结果变更为所述第3结果。

11.根据权利要求8所述的存储系统，其中所述存储器控制器构成为，供给至所述存储器控制器的电压满足第2条件，发布第6指令使所述输入输出电路的设定从所述第1结果变更为所述第3结果。

12.根据权利要求8所述的存储系统，其中所述存储器控制器构成为，在所述存储器控制器与所述输入输出电路之间通信的信号的频率满足第3条件时，发布第7指令使所述输入输出电路的设定从所述第1结果变更为所述第3结果。