[发明专利]一种降低电磁干扰的PCB布局结构在审
申请号: | 201811553887.1 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN110062518A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 杨宥纶 | 申请(专利权)人: | 厦门佐之记商贸有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郭锦辉;陈艺琴 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线层 场效应晶体管 电容 电磁干扰 基板 电磁干扰问题 电感 电子元器件 输入电压端 布线规则 第一表面 电感区域 接地连接 生产效率 输出电压 最短距离 第一板 接地层 接地端 上通孔 低边 高边 漏极 铜箔 生产成本 节约 | ||
1.一种降低电磁干扰的PCB布局结构,其特征在于,包括基板、布线层和场效应晶体管(112),所述基板包括第一板层(1),所述布线层包括第一布线层(3),所述第一布线层(3)的铜箔上设置有电感(111),所述第一布线层(3)设置在所述第一板层(1)的第一表面(11)上,所述第一布线层(3)上还设置有多个场效应晶体管(112);
所述场效应晶体管(112)一端分别与输入电压(115)和接地线(117)连接,所述场效应晶体管(112)另一端与所述电感(111)连接;
所述电感(111)与输出电压(116)连接,所述输出电压(116)通过第一电容(113)与所述接地线(117)连接,接地方向与第二电容(114)接地方向同侧,所述输入电压(115)与所述接地线(117)通过第二电容(114)连接,并紧邻于所述场效应晶体管(112)。
2.根据权利要求1所述的一种降低电磁干扰的PCB布局结构,其特征在于,所述多个场效应晶体管(112)为N沟道增强型晶体管。
3.根据权利要求1所述的一种降低电磁干扰的PCB布局结构,其特征在于,所述多个场效应晶体管(112)栅极的引线(1121)与所述场效应晶体管(112)漏极的引线(1121)间距等于5mil。
4.根据权利要求1或2所述的一种降低电磁干扰的PCB布局结构,其特征在于,所述多个场效应晶体管(112)高低边场效应晶体反向排列。
5.根据权利要求3所述的一种降低电磁干扰的PCB布局结构,其特征在于,所述多个场效应晶体管(112)栅极和漏极的引线与所述电感(111)的引线的宽度不小于20mil。
6.根据权利要求1所述的一种降低电磁干扰的PCB布局结构,其特征在于,所述场效应晶体(112)为两个。
7.根据权利要求1所述的一种降低电磁干扰的PCB布局结构,其特征在于,所述场效应晶体管(112)漏极与所述电感(111)路径中所产生的过孔需与其他引线或是其他电源层的距离均大于40mil。
8.根据权利要求1所述的一种降低电磁干扰的PCB布局结构,其特征在于,所述第二电容(114)的电容量为0.1uF。
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