[发明专利]一种红外探测器表面处理的方法在审
| 申请号： | 201811554876.5 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109638111A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 祁娇娇;宁提;李春领 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 田卫平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碲镉汞材料 红外探测器 干法清洗 表面腐蚀 湿法清洗 器件技术领域 自生氧化层 镀膜处理 器件芯片 样品盘 吹干 装片 | ||
1.一种红外探测器表面处理的方法，其特征在于：该方法包含如下步骤：
对碲镉汞材料进行湿法清洗；
对所述湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀；
将所述表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘；
对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗；
在干法清洗后的碲镉汞材料的表面进行镀膜处理。
2.根据权利要求1所述的一种红外探测器表面处理的方法，其特征在于：所述对碲镉汞材料进行湿法清洗，包括：
对碲镉汞材料进行表面抛光处理；
使用化学试剂对表面抛光处理后的碲镉汞材料进行湿法清洗。
3.根据权利要求1所述的一种红外探测器表面处理的方法，其特征在于：所述对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀，包括：
使用溴与有机试剂的混合溶液对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀。
4.根据权利要求1所述的一种红外探测器表面处理的方法，其特征在于：所述将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘，包括：
使用氮气将将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘。
5.根据权利要求1所述的一种红外探测器表面处理的方法，其特征在于：所述对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗之前该方法还包含：将固定碲镉汞材料的样品盘送入真空腔室。
6.根据权利要求5所述的一种红外探测器表面处理的方法，其特征在于：所述干法清洗的射频源功率为15W-400W，工艺压强5e-2Torr～1e-5Torr。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
