[发明专利]一种红外探测器表面处理的方法

说明书

本发明公开了一种红外探测器表面处理的方法，涉及红外探测器器件技术领域，该方法包含如下步骤：对碲镉汞材料进行湿法清洗；对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀；将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘；对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗；在干法清洗后的碲镉汞材料的表面进行镀膜处理。本发明方法通过对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗，解决了现有的碲镉汞材料在装片的过程中生成自生氧化层的问题，提高了器件芯片的性能。

技术领域

本发明涉及红外探测器器件技术领域，尤其涉及一种红外探测器表面处理的方法。

背景技术

碲镉汞(HgCdTe)是一种窄禁带半导体材料，具有带隙可调、光吸收系数大、载流子寿命长、电子迁移率高等优点，使其成为核心的光电器件材料之一。在气象、地球观测、医疗、通讯等方面都有广泛的应用，是红外探测领域重点发展的热点技术之一。

传统工艺中碲镉汞材料在装片的过程中会裸露在大气中，生成自生氧化层，自生氧化层的存在导致碲镉汞/钝化层的界面处存在一层薄氧化层，影响芯片性能。

发明内容

本发明实施例提供一种红外探测器表面处理的方法，用以解决现有技术中存在的碲镉汞材料在装片的过程中裸露在大气中，生成自生氧化层问题。

一种红外探测器表面处理的方法，该方法包含如下步骤：

对碲镉汞材料进行湿法清洗；

对所述湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀；

将所述表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘；

对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗；

在干法清洗后的碲镉汞材料的表面进行镀膜处理。

可选的，所述对碲镉汞材料进行湿法清洗，包括：

对碲镉汞材料进行表面抛光处理；

使用化学试剂对表面抛光处理后的碲镉汞材料进行湿法清洗。

可选的，所述对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀，包括：

使用溴与有机试剂的混合溶液对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀。

可选的，所述将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘，包括：

使用氮气将将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘。

可选的，所述对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗之前该方法还包含：将固定碲镉汞材料的样品盘送入真空腔室。

可选的，所述干法清洗的射频源功率为15W-400W，工艺压强5e-2Torr～1e-5Torr。

本发明实施例通过对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗，解决了现有的碲镉汞材料在腐蚀过程中的生成的富碲层和装片的过程中生成自生氧化层的问题，提高了器件芯片的性能，取得了积极的技术效果。

进一步的，本发明实施例还将固定碲镉汞材料的样品盘送入真空腔室，进一步保证了碲镉汞材料与外部空气的隔绝，防止了生成自生氧化层的问题。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本发明方法流程图；