[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201811557158.3 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109671761B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 卜呈浩 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括一柔性衬底,在所述柔性衬底上设置有一功能层,所述柔性衬底划分为一非弯折区及一弯折区;在所述弯折区的功能层具有一深孔区,一第一填充层填充于所述深孔区的深孔;在所述弯折区的第一填充层上设有一金属走线层,所述金属走线层位于中性面上;所述第一填充层的底部位于所述柔性衬底内;所述弯折区的柔性衬底具有一凹槽,在所述凹槽内设有部分第一填充层;第一填充层采用有机材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述非弯折区包括一显示区,在所述显示区的功能层具有至少一应力释放孔,一第二填充层填充于所述应力释放孔,所述第二填充层的底部设置在所述功能层中的一阻隔层上。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一填充层和所述第二填充层采用有机材料制成。
4.一种如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)提供一柔性衬底,在所述柔性衬底上形成一阻隔层;
(2)对所述阻隔层进行曝光刻蚀,以去除位于弯折区的所述阻隔层;
(3)对刻蚀过的柔性衬底进行氧电浆处理,使得所述弯折区的柔性衬底形成一凹槽,以使所述弯折区的柔性衬底变薄;
(4)对弯折区具有凹槽的柔性衬底填充有机材料;
(5)在变薄的柔性衬底上依次形成一缓冲层、一有源层、一栅极绝缘层、一栅极层和一层间绝缘层;
(6)对所述层间绝缘层进行曝光显影,以形成位于弯折区的深孔和位于显示区的应力释放孔,其中所述显示区位于非弯折区中;
(7)对所述深孔和所述应力释放孔进行有机材料填充,以分别形成第一填充层和第二填充层。
5.根据权利4所述的制作方法,其特征在于,在步骤(3)中,所述凹槽的深度是根据所述氧电浆的流量和处理时间而确定的。
6.根据权利4所述的制作方法,其特征在于,在步骤(6)中,使用同一道刻蚀工艺同时对位于所述弯折区的层间绝缘层和位于所述显示区的层间绝缘层进行曝光刻蚀,以分别形成位于弯折区的深孔和位于显示区的应力释放孔,所述深孔和所述应力释放孔的深度相同。
7.一种如权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
a)提供一柔性衬底,在所述柔性衬底上依次形成一阻隔层、一缓冲层、一有源层、一栅极绝缘层、一栅极层和一层间绝缘层;
b)对弯折区进行曝光显影,以暴露出柔性衬底;
c)利用所述层间绝缘层作为阻挡层,通过氧电浆处理方式对弯折区暴露出的柔性衬底进行刻蚀,并形成一深孔;
d)对具有深孔的柔性衬底进行有机材料涂覆处理,并进行曝光显影,以使所述有机材料覆盖所述深孔,并形成一第一填充层;
e)对显示区进行曝光,以显影出位于显示区的应力释放孔;
f)对所述应力释放孔进行有机材料涂覆处理,并进行曝光显影,以使所述有机材料填充于所述应力释放孔,并形成一第二填充层。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,在步骤(3)中,弯折区的柔性衬底被刻蚀的深度是根据所述氧电浆的流量和处理时间而确定的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811557158.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种有源矩阵有机发光二极管面板
- 下一篇:一种显示面板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的