[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201811557158.3 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109671761B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 卜呈浩 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明披露了一种显示面板及其制作方法。所述显示面板通过在阵列基板的下边框区域设置深孔区,以使所述下边框区沿深孔区而整体向后弯折,实现显示面板的窄边框化,同时在显示区设置应力释放孔,用于释放显示区弯折时产生的应力,使得整个阵列基板在弯折时不易产生裂纹或破孔,大幅度提高显示面板的弯折性能。另外,弯折区的柔性衬底通过特殊工艺进行减薄化,用来调整弯折区在弯折时的中性面,使得用于跨接信号走线的金属走线层正好落在中性面上,金属走线层受到的弯折应力最小,从而增强弯折区的弯折半径与弯折性能。另外,根据不同需求使用不同的方法进行柔性衬底的减薄,控制刻蚀工艺,在进行柔性衬底减薄的同时进行光罩掩模板的节省。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
相比于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD),有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)的最大优势在于可以在柔性衬底上制作,由于OLED有机发光材料具有耐弯折性,使得OLED显示面板可以实现弯曲化和折叠化。如果将OLED显示面板的下边框(border)部分折叠到显示器背面,就可以将OLED显示面板的下边框进一步缩小,达到极窄边框或者无边框的效果。如果将OLED显示面板的显示区域以固定弯曲半径弯折,则可以实现OLED显示面板的曲面化。
有鉴于此,如何实现OLED显示面板的曲面化成为了相关研究人员的重要研究课题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种显示面板及其制作方法。所述显示面板通过在阵列基板的下边框区域(即弯折区)设置深孔区,以使所述下边框区沿深孔区而整体向后弯折,实现显示面板的窄边框化,同时在显示区设置应力释放孔,用于释放显示区弯折时产生的应力,使得整个阵列基板在弯折时不易产生裂纹或破孔,大幅度提高显示面板的弯折性能。另外,弯折区的深孔内的无机膜层被刻蚀,且弯折区的柔性衬底通过特殊工艺进行减薄化,用来调整弯折区在弯折时的中性面,使得用于跨接信号走线的金属走线层正好落在中性面上,金属走线层受到的弯折应力最小,从而增强弯折区的弯折半径与弯折性能。另外,根据不同的需求使用不同的方法进行柔性衬底的减薄,控制刻蚀工艺,可以在进行柔性衬底减薄的同时进行显示光罩掩模板的节省。
为了解决上述问题,本发明提供了一种显示面板,其包括一柔性衬底,在所述柔性衬底上设置有一功能层,所述柔性衬底划分为一非弯折区及一弯折区;在所述弯折区的功能层还具有一深孔区,一第一填充层填充于所述深孔区的深孔;在所述弯折区的第一填充层上设有一金属走线层,所述金属走线层位于中性面上。
在本发明的一实施例中,所述第一填充层的底部位于所述柔性衬底内。
在本发明的一实施例中,所述非弯折区包括一显示区,在所述显示区的功能层具有至少一应力释放孔,一第二填充层填充于所述应力释放孔,所述第二填充层的底部设置在所述功能层中的阻隔层上。
在本发明的一实施例中,所述第一填充层和所述第二填充层采用有机材料制成。
根据本发明的另一方面,本发明提供一种如上述显示面板的制作方法,所述方法包括以下步骤:(1)提供一柔性衬底,在所述柔性衬底上形成一阻隔层;(2)对所述阻隔层进行曝光刻蚀,以去除位于弯折区的所述阻隔层;(3)对刻蚀过的柔性衬底进行氧电浆处理,使得所述弯折区的柔性衬底形成一凹槽,以使所述弯折区的柔性衬底变薄;(4)对弯折区具有凹槽的柔性衬底填充有机材料;(5)在变薄的柔性衬底上依次形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层和层间绝缘层;(6)对所述层间绝缘层进行曝光显影,以形成位于弯折区的深孔和位于显示区的应力释放孔,其中所述显示区位于非弯折区中;(7)对所述深孔和所述应力释放孔进行有机材料填充,以分别形成第一填充层和第二填充层。
在本发明的一实施例中,在步骤(3)中,所述凹槽的深度是根据所述氧电浆的流量和处理时间而确定的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的