[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201811557485.9 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN110895956B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 今本哲広;菅原昭雄 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/26;G11C16/04 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
第1平面及第2平面,各自包含含有多个存储单元的存储单元阵列;
输入输出电路,以从控制器接收要写入到所述存储单元阵列的数据的方式构成;以及
控制电路;
所述第1平面还包含:第1感测放大器电路,电连接在所述第1平面内的所述多个存储单元中的第1存储单元;及第1锁存电路,串联连接在所述输入输出电路与所述第1感测放大器电路之间;且
所述控制电路构成为,当接收到指示对所述第1存储单元的第1写入动作的第1指令时,在伴随所述第1写入动作的所述第1锁存电路的使用完成之前受理第2指令,所述第2指令指示对所述第2平面内的所述多个存储单元中的第2存储单元的第2写入动作。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
受理所述第2指令包括虚拟性地开放所述第1锁存电路。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
受理所述第2指令包括在不将所述第1锁存电路内的数据复位的情况下将所述控制电路能够受理所述第2指令通知给所述控制器。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述控制电路构成为,在所述第1写入动作完成后,将所述第1锁存电路内的数据复位。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置,其中
所述半导体存储装置还具备第3平面,所述第3平面包含含有多个存储单元的存储单元阵列;
所述第2平面还包含:第2感测放大器电路,电连接在所述第2存储单元;及
第2锁存电路,串联连接在所述输入输出电路与所述第2感测放大器电路之间;
所述控制电路还构成为,当接收到所述第2指令时,在所述第1写入动作完成后,伴随所述第2写入动作的所述第2锁存电路的使用完成之前受理第3指令,所述第3指令指示对所述第1平面或所述第3平面内的所述多个存储单元中的第3存储单元的第3写入动作。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中
受理所述第3指令包括虚拟性地开放所述第2锁存电路。
7.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其中
受理所述第3指令包括在不将所述第2锁存电路内的数据复位的情况下将所述控制电路能够受理所述第3指令通知给所述控制器。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述控制电路构成为,在接收到所述第1指令后,如果在伴随所述第1写入动作的所述第1锁存电路的使用完成之前接收到第4指令,就中断所述第1写入动作,执行从所述第1平面或所述第2平面的读出动作。
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述第2平面还包含:第2感测放大器电路,电连接在所述第2存储单元;及
第2锁存电路,串联连接在所述输入输出电路与所述第2感测放大器电路之间;
所述控制电路构成为,在接收到所述第2指令后,如果在接收指示进一步的写入动作的第5指令之前接收到第6指令,就中断所述第1写入动作,执行从所述第1平面或所述第2平面的读出动作。
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述第1指令与所述第2指令分别包含第1种写入指令集,
所述半导体存储装置从接收所述第1指令起到恢复至就绪状态为止所需的第1期间比所述半导体存储装置从接收所述第2指令起到恢复至所述就绪状态为止所需的第2期间短。
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