[发明专利]改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法

权利要求书

1.一种改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）获取多晶硅层、多晶硅切割图形以及参考层完整设计版图；

2）选取目标图形（T），根据多晶硅切割图形切割到多晶硅图形的数目将目标图形划分为第一类目标图形（A）和第二类目标图形（B）；

3）第一类目标图形（A）处理，将第一类目标图形（A）与多晶硅线垂直的两边分别向内收缩第一尺寸（W1）；

4）第二类目标图形处理（B），标记多晶硅切割图形的线端边（E），当所述线端边至其对面多晶硅图形的距离大于第二尺寸（S）时，对多晶硅切割图形的线端边进行延长，延长第三尺寸（X），当所述线端边至其对面多晶硅图形的距离小于等于第二尺寸（S）时，若所述线端边（E）伸出长度小于第四尺寸（L），则对多晶硅切割图形进行加宽，加宽第五尺寸（W2）；

5）对修正后的多晶硅层切割图形进行基于模型的OPC后续修正处理,得到mask图形；

其中，选取多晶硅切割图形去除其与多晶硅图层重叠的部分，标记为目标图形（T）；

选取目标图形（T）中接触到两根多晶硅线的目标图形标记为第一类目标图形（A）；

选取目标图形（T）中仅接触到一根多晶硅线的目标图形标记为第二目标图形（B）。

2.如权利要求1所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于：所述第一尺寸~第五尺寸由半导体器件的设计规则和实际生产工艺决定。

3.如权利要求1所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于：所述参考层包括有源区和接触孔。

4.如权利要求1所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于：所述第一尺寸（W1）范围是1nm~10nm。

5.如权利要求1所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于：所述第二尺寸（S）范围是5nm~40nm。

6.如权利要求1所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于：所述第三尺寸（X）范围是1nm~70nm。

7.如权利要求1所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于：所述第四尺寸（L）范围是30nm~80nm。

8.如权利要求1所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于：所述第五尺寸（W2）范围是1nm~10nm。

9.如权利要求1-8任意一项所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，其特征在于：所述第一尺寸（W1）、第二尺寸（S）、第三尺寸（X）、第四尺寸（L）和第五尺寸（W2）均满足掩模版能制作最小尺寸。