[发明专利]改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法

说明书

本发明提供一种用于多晶硅切割图层修正的改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC方法，包括：获取多晶硅层、多晶硅切割图形以及参考层完整设计版图；将目标图形划分为第一类目标图形和第二类目标图形；将第一类目标图形与多晶硅线垂直的两边分别向内收缩第一尺寸；标记多晶硅切割图形的线端边，当线端边至其对面多晶硅图形的距离大于第二尺寸时，对多晶硅切割图形的线端边进行延长第三尺寸，当线端边至其对面多晶硅图形的距离小于等于第二尺寸时，若线端边E伸出长度小于第四尺寸，则对多晶硅切割图形进行加宽，加宽第五尺寸。对修正后的多晶硅层切割图形进行基于模型的OPC后续修正处理,得到mask图形。本发明能优化多晶硅图形线端刻蚀后形貌，改善多晶硅层线端尺寸均一性。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种用于多晶硅切割图层修正的能改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC(光学邻近效应校正)方法。

背景技术

随着集成电路特征尺寸的持续缩小，半导体器件的设计尺寸越来越精密，光学临近效应(Optical Proximity Effect)导致硅片上的光刻图形与掩模版上图形的偏差问题越来越严重，可以通过光学临近效应修正(Optical Proximity Correction)如加入次分辨率辅助图形(SRAF,Sub Resolution Assist Feature)来提高线宽均匀性(CDU,CriticalDimension Uniformity)，增大光刻工艺窗口(PW,Process Window)，从而确保最终硅片上图形与设计图形的一致性。但在32nm及以下节点，随着栅极尺寸的减小，栅极线端收缩就会变得更加严重，光罩上图形的修正量变大会导致相邻之间栅极图形的重叠，导致光学临近效应修正方法失效。且随着版图图形的复杂程度越来越高，光刻分辨率的限制及OPC模型预测性的不足导致OPC修正无法兼顾所有的热点问题，对于千变万化的版图很难面面俱到。

因此，对于栅极图形，在28nm及以下节点中，采用了双重图形技术，通过添加多晶硅层切割图形解决多晶硅层线端工艺窗口的不足，有效地避免栅极线端的收缩效应，改善多晶硅层线端短路及圆角化等问题，使得半导体器件的性能更加优异。然而，由于线端切割图形层本身在曝光过程中的光学临近效应，线端切割后的多晶硅层仍然存在线端不平直的问题，从而导致end-cap长度尺寸不均一,造成产品缺陷，影响产品良率。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于多晶硅切割图层，能改善刻蚀后多晶硅线端形貌，并改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种用于多晶硅切割图层修正的OPC(光学邻近效应矫正)方法，包括以下步骤：

1)获取多晶硅层、多晶硅切割图形以及参考层完整设计版图；

2)选取目标图形T，根据多晶硅切割图形切割到多晶硅图形的数目将目标图形划分为第一类目标图形A和第二类目标图形B；

3)第一类目标图形A处理，将第一类目标图形与多晶硅线垂直的两边分别向内收缩第一尺寸W1；

4)第二类目标图形处理B，标记多晶硅切割图形的线端边E，当所述线端边至其对面多晶硅图形的距离大于第二尺寸S时，对多晶硅切割图形的线端边进行延长，延长第三尺寸X，当所述线端边至其对面多晶硅图形的距离小于等于第二尺寸S时，若所述线端边E伸出长度小于第四尺寸L，则对多晶硅切割图形进行加宽，加宽第五尺寸W2；

5)对修正后的多晶硅层切割图形进行基于模型的OPC后续修正处理,得到mask图形。

进一步改进所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，目标图形采用以下方式选取：选取多晶硅切割图形去除其与多晶硅图层重叠的部分，标记为目标图形T。

进一步改进所述改善多晶硅层线端尺寸均一性的OPC修正方法，第一目标图形A采用以下方式选取：选取目标图形T中接触到两根多晶硅线的目标图形标记为第一类目标图形A。