[发明专利]一种甲磺酸卡莫司他晶型及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种甲磺酸卡莫司他晶型A，其特征在于，粉末X-射线衍射2θ值表示在4.959±0.2°、13.896±0.2°、17.098±0.2°、19.395±0.2°、19.974±0.2°、21.454±0.2°、21.932±0.2°、24.968±0.2°、27.264±0.2°、36.651±0.2°有吸收峰。

2.根据权利要求1所述的甲磺酸卡莫司他晶型A，其特征在于，所述晶型的粉末X-射线衍射图的衍射峰包括：

序号	2θ	晶面间距d(A)	相对强度（%）
1	4.959	17.807	21.4
2	9.030	9.785	8.7
3	9.803	9.016	11.7
4	12.592	7.024	12.2
5	13.896	6.368	31.2
6	14.484	6.111	12.4
7	16.200	5.467	16.7
8	17.098	5.182	94.8
9	17.989	4.927	16.1
10	19.395	4.573	39.4
11	19.974	4.442	44.9
12	21.454	4.139	100.0
13	21.932	4.049	20.6
14	22.502	3.946	15.4
15	24.468	3.635	19.3
16	24.968	3.563	33.1
17	27.264	3.268	37.7
18	28.175	3.165	19.3
19	30.088	2.968	18.0
20	31.325	2.853	14.7
21	36.651	2.450	21.7

。