[发明专利]用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构在审
申请号: | 201811562107.X | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109768003A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 姚大平 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 朱静谦 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 塑封 承载结构 承载区 矫正 集成电路芯片 气道 翘曲 第一流道 加热结构 加热层 加热区 压制 交错分布 矫正装置 平面设置 施加压力 受热均匀 平整化 上表面 加热 承载 垂直 | ||
1.用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,包括:
气道层(1),所述气道层(1)的上表面形成有用于承载所述塑封平板(7)的承载区,所述承载区为平面设置,还包括设置于所述承载区下方的第一流道;
加热层(2),设置于所述气道层(1)下方,所述加热层(2)设置有形成加热区的加热结构,所述加热区与所述承载区对应设置,且所述加热结构与所述第一流道交错分布,以使所述塑封平板受热均匀。
2.根据权利要求1所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,所述第一流道与所述承载区连通设置。
3.根据权利要求2所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,所述加热区包括与所述承载区周缘对应设置的第一加热区以及与所述承载区内部对应设置且位于所述第一加热区内的若干均匀排布的第二加热区,所述第一加热区和所述第二加热区相互独立设置。
4.根据权利要求3所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,所述第二加热区的数量为四个,四个所述第二加热区均匀分布在所述第一加热区内的四个象限里。
5.根据权利要求4所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,所述加热结构包括设置于所述第一加热区内大致呈方形排布的第一电阻丝(4)以及设置于四个所述第二加热区内且分别呈凹字型排布的第二电阻丝(5)。
6.根据权利要求4所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,所述第一加热区以及四个所述第二加热区分别连接至少一个温度控制系统。
7.根据权利要求4所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,所述第一加热区远离电源的一端以及四个所述第二加热区的中心部位均设置有温度计量仪。
8.根据权利要求1-7任一项所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,所述第一流道包括若干直线流道和若干弧形流道,若干所述直线流道平行排布,相邻两个所述直线流道的首尾通过弧形流道连通,所述第一流道的两端分别与惰性气体进口和真空系统相连。
9.根据权利要求1-7任一项所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,还包括设置于所述加热层(2)下方且与所述承载区对应设置用于所述塑封平板(7)冷却的冷却层(3)。
10.根据权利要求9所述的用于矫正包含集成电路芯片的塑封平板翘曲的承载结构,其特征在于,所述冷却层(3)设置有用于冷却水流通的第二流道,所述第二流道的进口和出口分别延伸至所述承载结构外缘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造